InnoSwitch3-CP将一次侧、二次侧和回授电路整合在单一表面接合封装中。在最新发布的系列成员中，"GaN" 切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。GaN 是一项关键技术，与硅相比具有显著的效率和尺寸优势。这样可以大大减少能源浪费，从而提高节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输送。PI INN3279C内置750V PowiGaN技术，适配器密闭环境中宽电压输入可输出65W，这里降额使用是为了降低发热。
使用 InnoSwitch3-CP（采用 PowiGaN 技术的 INN3279C-H215）的 60 W USB PD Type-C 充电器（5 V/3 A；9 V/3 A；15 V/3 A；20 V/3 A 输出）该充电器采用INN3279芯片设计的低成本、高效率快速充电适配器，为了提高效率，还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。在InnoSwitch3-CP系列控制器中，支持同步整流，对于次级整流器（SR），选择MOSFET而不是肖特基二极管，只要外接的mos开关管选择最低的RDS（on）可大大提高电源的效率。PI全集成IC内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出。
