INN3990CQ（IC200）的次级侧为同步整流MOSFET（SR FET）提供输出电压检测、输出电流检测和栅极驱动。SR FETs Q100和Q101对变压器T200次级绕组的电压进行整流，然后由输出电容C102至C104进行滤波。由电阻R100至R102和电容C100构成的RC型缓冲器可抑制SR FET漏源节点中的高频振铃。
IC200内部的次级侧控制器控制SR FET的开关。其定时基于通过电阻R106从FWD引脚检测到的负边沿电压转换。电容C110和电阻R106构成低通滤波器，可降低SR关断时FWD引脚看到的电压尖峰，并确保不会超过150V的最大额定值。
在连续导通模式下，初级侧功率MOSFET在次级侧控制器向初级请求新开关周期之前关闭。在不连续导通模式下，当SR FET两端的电压降至VSR(TH)7以下时，SR FET关闭。
次级侧对初级侧功率MOSFET的控制消除了两个开关交叉导通的可能性，并确保了可靠的同步整流操作。
IC200的次级侧由次级绕组正向电压（通过R106和FWD引脚）或输出电压（通过VOUT引脚）供电。在这两种情况下，能量都通过内部调节器用于给去耦电容C111充电。
二极管D101、D102和电阻R108作为次级侧输出过压保护（次级OVP）。在输出过压事件期间，电流将通过这些元件注入到IC200的BPS引脚，并触发IC进入自动重启（AR）模式。
INN3990CQ具有1.265V的内部参考电压。电阻R113和R114为InnoSwitch3-AQ设计构成基本的分压反馈网络。对于此设计，由R113和R114设定的输出电压值比额定输出电压高10 - 15%，这是实现精确电压调节电路的要求。
电容C107用于从影响电源操作的高频噪声中进行去耦。电容C108和电阻R112构成前馈网络，以加快反馈响应速度并降低输出纹波。
通过监测并联电阻R109至R111两端的电压降来检测输出电流。所得电流测量值使用R106和C109进行滤波，并在IS和次级接地引脚之间进行监测。约35mV的内部电流检测阈值用于减少损耗。一旦达到该阈值，IC200将控制脉冲数量以维持固定的输出电流。当输出电压降至调节值的90%以下时，IC进入自动重启（AR）操作，并在负载电流降低到CC限制以下时恢复。二极管D100限制R109至R111两端的电压降，以在过载或短路情况下保护IS引脚
