年初准备测试下理想二极管替代传统肖特基二极管做为直流输出防反电路的方案，正好赶上得捷和电源网活动，进行了相关物料的采购。
下图是在得捷官网上采购的物料：
电路原理如下图所示：
方案采用LM74700QDBVTQ1芯片和低导通电阻的MOSFET,准备测试的直流电压为24V和48V，选择了IAUT150N10S5N0351的型号。主要参数如下图所示：
相比肖特基二极管，采用理想二极管的方案，能够有效降低功率损耗。10A电流，流过MOSFET产生的管压降只有35mV远小于肖特基二极管的管压降，测试了MOSFET的壳温，10A工作10min左右温升不超过10℃。如果测试更大电流建议功率管外加散热器，能够降低节温，否则管子上的功耗较大时导通电阻会有较大的升高，导通压降也会随之变大。
得捷下单后，大概两周左右收到元器件。
PCB制板如下图所示：
制板后实物焊接如下图所示：
另有测试视频上传附件，有兴趣的可以查看交流，欢迎讨论。
