INN3949CQ的二次侧提供输出电压检测、输出电流检测以及同步整流MOSFET（SR FET）的栅极驱动。SR FET Q100和Q101对变压器T200次级绕组的电压进行整流，然后通过输出电容器C102、C103、C104和C105进行滤波。由电阻R100、R101和电容器C100形成的RC型缓冲器抑制了SR FET漏源节点中的高频振铃。IC200内部的二次侧控制器控制SR FET的开关。定时基于通过电阻R109从FWD引脚检测到的负边电压转换。电容器C109和电阻R109形成一个低通滤波器，减少了FWD引脚看到的电压尖峰，并确保不超过150V的最大额定值。
在连续导通模式操作中，初级侧功率MOSFET在二次侧控制器请求来自初级的新开关周期之前刚刚关闭。 在断续模式下，当SR MOSFET上的电压低于某个阈值VSR(TH)时，SR MOSFET关闭。二次侧对初级侧功率MOSFET的控制消除了两个开关之间交叉导通的可能性，并确保了可靠的SR操作。 IC的二次侧由次级绕组的前向电压（通过R109和FWD引脚）或输出电压（通过VOUT引脚）供电。在两种情况下，能量都通过内部调节器用于给去耦电容器C110充电。
INN3949CQ IC具有1.265V的内部参考FB引脚。电阻R105和R106为InnoSwitch3-AQ设计形成基本的分压反馈网络。然而，对于此设计，由R105和R106设置的输出电压值比目标输出电压高10-15%，这是实现精确电压调节电路的要求。电容器C106提供了对影响电源操作的高频噪声的去耦。电容器C107和R104形成了一个前馈网络，以加快反馈响应时间并降低输出纹波。
通过监测并联电阻R102和R103上的电压降来检测输出电流。所得的电流测量结果通过去耦电容器C108进行滤波，并在IS和SECONDARY GROUND引脚上进行监测。大约35mV的内部电流检测阈值用于减少损耗。一旦超过该阈值，INN3949CQ IC200将调整脉冲数量以保持固定的电流输出（CC模式）。当输出电压低于调节值的90%时，IC将进入自动重启（AR）操作，并在负载电流降低到CC限制以下时恢复。 肖特基二极管D102限制了IS引脚上的电压，以在输出短路事件期间保护它。
