电路设计采用反激转换器拓扑，从高压输入提供隔离的低压输出。反激变压器T200的初级绕组连接到高压直流输入和INN3949CQ（IC200）内部的1700V SiC功率MOSFET开关的漏极引脚。
一个R2CD型缓冲电路并联在初级侧绕组两端，以限制内部SiC MOSFET在关断时看到的漏源电压尖峰。两个超快（或更好）的表面贴装、AEC-Q认证的二极管（D200和D201）串联放置，以满足爬电距离和电气间隙要求。这还能确保二极管上的反向电压不超过其最大额定值的70%。电容器C200、C201和C203捕获变压器T200漏感中的能量。选择这些电容器的值是为了最小化缓冲电阻网络两端的电压纹波，并在开关周期内保持接近恒定的功耗。电阻器R200、R201、R203、R204、R206和R207耗散由缓冲电容器储存的能量。选择这些电阻器的值，使它们的平均电压不超过最大电压额定值的80%，并且功耗低于额定功率的50%。 InnoSwitch3-AQ IC200是自启动的，使用内部高压电流源对BPP电容C210进行充电。
INN3949CQ IC保证在30V输入下工作，但通常可以在这个水平以下启动。 变压器T200的辅助绕组在正常运行期间为初级侧提供电源。这减少了从内部高压电流源获取的功率，提高了整体效率并减少了IC200的发热。辅助绕组的输出通过二极管D203和电容器C208及C209进行整流和滤波。滤波后的（直流）电压通过电阻器R212馈送到BPP引脚。 在这个设计中，通过将V引脚短接到SOURCE引脚来禁用UV（欠压）和OV（过压）功能。
