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在客户手里,5v上C4就爆炸了,用的是低ESR10v的耐压值.
电解电容炸弹.
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@天边边
在你的电路应该是BUCK电路.由你图上的同名端可以得到如下结论:在(U1中的)开关管导通时,D2是截止的. 如果开关管导通,D2由于负偏而截止.如果L1中的电流不为0,并且正向流动(指流向负载),则电容C4则被反向充电.如果电流和电压足够大,C4则发生爆炸. 因此.在C4的两端并一快恢复二极管.可以克服问题.
我看了你的線路,是一般flyback結構.我認為造成炸C4的原因可能是這樣的.
一.你DC Output +5V/0.7A.而你的Rectifier diode選用D2(HER303,
3A/300V的)因它Trr=50ns,這樣的管子對抑制高頻Spike很差.你可
以檢查你Transformer之Secondary.在264VAC/Full Load時Vp-p是
多少.是不是很高?我們一般做5V/0.7A,選SB360.3A/60V 足夠了.
PS:這是我看到你選舉3A/300V的管子所想到的.
二.若你DC Output +5V,Load=0.7A,對於Flyback結構的Power.你的LC濾
波C4/L1選舉是不合理的.C4你選擇470V/10V的.一般此規格的LOW ESR
電容Ripple Current<650mA.另外你L1為100uH這個值太大了(一般
<10UH).對有的產品L大了反而會引起產品振盪.你C5又選舉太大.
PS:你可以將C4改為1000UF/10V或470UF/10V*2.L選DR6*8(3UH).C5選
220UF/10V或100UF/10V.再燒機試試.
以上供參.
一.你DC Output +5V/0.7A.而你的Rectifier diode選用D2(HER303,
3A/300V的)因它Trr=50ns,這樣的管子對抑制高頻Spike很差.你可
以檢查你Transformer之Secondary.在264VAC/Full Load時Vp-p是
多少.是不是很高?我們一般做5V/0.7A,選SB360.3A/60V 足夠了.
PS:這是我看到你選舉3A/300V的管子所想到的.
二.若你DC Output +5V,Load=0.7A,對於Flyback結構的Power.你的LC濾
波C4/L1選舉是不合理的.C4你選擇470V/10V的.一般此規格的LOW ESR
電容Ripple Current<650mA.另外你L1為100uH這個值太大了(一般
<10UH).對有的產品L大了反而會引起產品振盪.你C5又選舉太大.
PS:你可以將C4改為1000UF/10V或470UF/10V*2.L選DR6*8(3UH).C5選
220UF/10V或100UF/10V.再燒機試試.
以上供參.
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@knox_wei
我看了你的線路,是一般flyback結構.我認為造成炸C4的原因可能是這樣的. 一.你DCOutput+5V/0.7A.而你的Rectifierdiode選用D2(HER303, 3A/300V的)因它Trr=50ns,這樣的管子對抑制高頻Spike很差.你可 以檢查你Transformer之Secondary.在264VAC/FullLoad時Vp-p是 多少.是不是很高?我們一般做5V/0.7A,選SB360.3A/60V足夠了. PS:這是我看到你選舉3A/300V的管子所想到的.二.若你DCOutput+5V,Load=0.7A,對於Flyback結構的Power.你的LC濾 波C4/L1選舉是不合理的.C4你選擇470V/10V的.一般此規格的LOWESR 電容RippleCurrent
你说得D29HER33)TRR=50NS,这个速度够快啊!你是意思是说速度快了除了问题???请解释一下,谢谢
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