利用INN3977CQ输入、12 V输出、30 W电源的30 VDC电源。该文件包含了电源规范、原理图、材料清单和基本性能数据。
变压器主电源的一端连接到直流总线，另一端连接到INN3977CQ IC（U1）内的集成电源MOSFET。高压陶瓷电容器C1用于直流输入电压的解耦电容器，由D2、R1、R2、R3、C2形成的低成本RCD钳，由于变压器漏电感的影响，限制了峰值漏电电压。电容器C15，Y电容器，用于衰减输出端上的高频共模噪声。集成电路为自启动，当首次施加直流输入电压时，使用内部高压电流源为BPP引脚电容器C4充电。在正常运行过程中，主侧绕组由变压器上的辅助绕组供电。其输出配置为回弹绕组，使用二极管D3和电容器C3进行整流和滤波，并通过电流限制电阻R4馈入BPP引脚。
对12 V输出的输出整流由SRFETQ1和Q2提供。低ESR电容器、C7、C8、C9、C12、C13和输出电感器L1提供滤波。陶瓷电容器C15可以衰减输出端上的高频噪声。由Q1和Q2的R7、R8和C5组成的RC缓冲网络抑制SRfet的高频振铃，这是由变压器绕组的泄漏电感和二次迹电感引起的。Q1和Q2的栅极是根据通过R5检测到的绕组电压和IC的FWD引脚来打开的。在连续传导模式操作中，在辅助侧控制器从主开始指挥新的开关周期之前关闭。在不连续模式下，当通过MOSFET的电压降到地面以下时，MOSFET被关闭。主侧MOSFET的二次侧控制确保了它永远不会与同步整流MOSFET同时开启。MOSFET驱动信号输出在SR引脚上。集成电路的二次侧由二次绕组正向电压或输出电压自供电。输出电压为设备供电，输入VO引脚。
电阻器R9和R11形成了一个感知输出电压的分压器网络。INN3977CQ IC具有1.265 V的内部参考。电容器C11提供与影响电源运行的高频噪声的解耦，并且C10和R10是前馈网络，以加速响应时间以降低输出纹波。输出电流由R6感知，其阈值约为35 mV，以减少损耗。一旦超过了这些电阻器上的电流感知阈值，该设备将调整开关脉冲的数量，以保持一个固定的输出电流。
