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反激电源漏感的影响

PI有很多反激电源方案,做的都很不错,要想设计好一款电源重要的掌握是对变压器特性,这次就来说说反激变压器漏感的影响。

漏感是不能耦合到二次侧的电感,分布在变压器的整个线圈中,跟绕组是串联关系,因为能量不能向二次侧释放,所以会在开关管关断时刻会产生较大电压尖峰。

对反激变压器工作过程有影响的漏感,不仅仅包含初级不能耦合到次级的电感,还包含变压器二次绕组的漏感通过匝比折算到初级的漏感,以及布线所产生的电感,通过匝比折算到初级的电感

漏感的影响:

漏感将使电路波形产生振荡,增加MOSFET的电压应力与发热,使电源的整体EMI性能变差。

抑制这个开关尖峰一般方法有:

(1) 增加Snubber电路,钳位峰值电压,并将部分的损耗转移 。

(2)优化变压器的绕制工艺,调整PCB Layout,达到漏感最小化的目的。

(3)选用窗口面积宽的磁芯骨架。

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tanb006
LV.10
2
01-20 08:55

对楼主的这句话有点疑惑:

“漏感的影响:漏感将使电路波形产生振荡,增加MOSFET的电压应力与发热”

尖峰与MOS电压应力有关系,但并不会造成MOS的发热。

在尖峰形成,及振荡期间,MOS是不工作的,一直处于关闭状态,哪来的能量消耗导致发热呢?

这点还请楼主或网友帮忙解惑,谢谢先!

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新月GG
LV.9
3
01-22 19:58
@tanb006
对楼主的这句话有点疑惑:“漏感的影响:漏感将使电路波形产生振荡,增加MOSFET的电压应力与发热”尖峰与MOS电压应力有关系,但并不会造成MOS的发热。在尖峰形成,及振荡期间,MOS是不工作的,一直处于关闭状态,哪来的能量消耗导致发热呢?这点还请楼主或网友帮忙解惑,谢谢先!

这里的尖峰是指MOS管DS端的电压尖峰,尖峰大了,mos管的DS端的电压最大值自然会变大,所以只能选择耐压更大的MOS管。

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htwdb
LV.5
4
01-23 19:19

漏感值如果太大,会导致电源输出功率效率将有很大下降

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01-23 21:09

怎么样有效计算漏感

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01-23 22:33

对最终输出结果会有哪些不利影响

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旻旻旻
LV.6
7
01-23 23:14

选用窗口面积宽的磁芯骨架

关于第三个办法,可以详细讲下对应漏感和窗口面积宽的对应关系吗,怎么选择合适的

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xxbw6868
LV.9
8
01-24 09:01
@dy-nmLUWFNr
怎么样有效计算漏感

从副边看进去,看到的是副边的电感(磁芯)加漏感,Ls= Lms+Lks,Lms可不是M,所以 Lks不等于 Ls-M

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01-24 09:11

漏感对传输结果有哪些不利影响

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dy-TMelSvc9
LV.7
10
01-24 09:36

信号毛刺一般发生在什么时间

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dy-nmLUWFNr
LV.7
11
01-24 09:51

对最终输出结果会有哪些影响

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XHH9062
LV.8
12
01-25 22:46

漏感影响最大应该是EMI

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01-25 23:07

会有哪些不利影响呢?

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XHH9062
LV.8
14
01-26 21:53

跟RCD吸收电路也有关系

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天晴朗
LV.6
15
01-26 21:55

增加Snubber电路可以抑制这个尖峰,钳位峰值电压

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01-26 22:35

学习了,小白还要学好多

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only one
LV.6
17
01-27 00:04

 增加Snubber电路,钳位峰值电压,并将部分的损耗转移 。

(2)优化变压器的绕制工艺,调整PCB Layout,达到漏感最小化的目的。

(3)选用窗口面积宽的磁芯骨架,漏感真的影响很大的

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01-30 14:00
@htwdb
漏感值如果太大,会导致电源输出功率效率将有很大下降

是的,漏掉太大会影响电源工作,需要控制一下

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01-30 14:07
@XHH9062
跟RCD吸收电路也有关系

是的,RCD吸收是辅助改善的方法

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dy-mb2U9pBf
LV.7
20
01-31 22:12

漏感是电源设计过程中不可去除的一个影响因子,却很影响电源的性能。

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03-15 15:38

高频电流的频率非常高,工作在高频的条件下,会使变压器的内阻、散热以及电路特性发生改变

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