Flyback架构的EMI 效果通常是比较差的（特别是在不连续工作模式下）,一般来说充电板以及功率板上的充电部分是整机EMI效果的重要决定因素之一。这里以Flyback架构为对象来分析其Noise源，传播途径，改善方法。
Noise 源一般是在大的di/dt和dv/dt 产生的地方，对于反激电源来说，这些地方主要有：反激变压器TX1；MOSFET Q1 ；输出二极管D1；芯片的RC振荡；驱动信号线。
其中MOSFET 动作时产生的Noise如下图，主要来自三个方面：
（1）Mosfet开通、关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身就是较强的干扰源。
（2）关断时的振荡 1产生较强的干扰。
（3）关断时的振荡 2产生较强的干扰
下面是功率管在1处震荡产生的共模电流路径。
下面是功率管在1处震荡产生的差模电流路径。
