永源微电子 AP60N03NF 30V/60A N沟道增强型MOSFET

永源微电子AP60N03NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RD（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

一般特征:

●VDS=30V，

●ID=60A

●R-DS（ON）<8.5mΩ@V-GS=10V

应用: [不间断电源] [ 电池保护] [ 负载开关]

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