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同步整流降压转换器的损耗

同步整流降压转换器的损耗发生部位

下面是同步整流降压转换器的电路简图以及发生损耗的位置。关于发生位置,用红色简称来表示。

PONH是高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗,也称为“导通损耗”。

PONL是低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗。

PSWH是MOSFET的开关损耗。

Pdead_time是死区时间损耗。当高边和低边MOSFET同时导通时,VIN和GND处于接近短路的状态,并流过称为“直通电流”等的过电流。为了避免这种情况,几乎所有的控制器IC在高边和低边的导通/关断切换时,都会设有两者都关断的一点点时间,这就是“死区时间”。为了安全起见是需要死区时间的,但会成为损耗。

PIC是电源用IC(在这里为功率晶体管外置同步整流降压转换器用控制器IC)的电源电流。基本上是IC本身消耗的电流,是自身消耗电流。

PGATE是外置MOSFET的栅极电荷损耗。原则上MOSFET的栅极是不流过电流的,但需要用来驱动栅极电容的电荷,这会成为损耗。需要同时考虑高边和低边。

PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗。

将这些损耗全部加在一起就是同步整流降压转换器的损耗。

损耗合计P=PONH+PONL+PSWH+Pdead_time+PIC+PGATE+PCOIL

PONH:高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗PONL:低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗PSWH:开关损耗Pdead_time:死区时间损耗PIC:自身功率损耗PGATE:栅极电荷损耗PCOIL:电感的DCR带来的传导损耗。

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2023-08-26 23:30

看了这篇文章,我对降压整流器的损耗有了很详细的了解,这是一篇很有价值的文章,先收藏了。

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2023-08-26 23:30

损耗是各个端口损耗的叠加么

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only one
LV.5
4
2023-08-26 23:53

PONH:高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗PONL,这个一般损耗有多大

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2023-08-27 13:49

电位转换过程中产生的能量损耗应该怎么样计算

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2023-08-27 13:58

不同电平转换过程中产生的能量损耗应该怎么样计算

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沈夜
LV.5
7
2023-09-24 11:31

死区时间损耗是什么?为什么需要设置死区时间?死区时间会成为哪些损耗之一?

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tanb006
LV.10
8
2023-09-25 09:01
@dy-XU5vrphW
不同电平转换过程中产生的能量损耗应该怎么样计算

没有具体的模型就无法计算。起码得先搭个实物,再根据实物的参数设计出模拟的模型,再仿真去计算损耗才能比较接近真实。

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2023-09-25 21:46

合计损耗应该可以通过输入输出功率相减得出。

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