三极管Vebo了解
事情来自一次讨论，如何控制一个10V信号的通断，原电路图用的是一个继电器，而我认为用一个三极管或者MOS管就可以实现。讨论中得知电路还要求客户误接入-10V时不受影响，我原以为三极管也是PN结构成，和二极管一样具有反向阻断的特征，可没想到三极管的PN结十分脆弱，经不起负电压，这才引出了我对三极管Vebo的学习。
*图片来自网络
我也是被上图给蒙蔽了，如图所示，三极管的等效示意图也是两个二极管合在一起，而我平时接触的二极管，最低反向耐压也有几十V，没想到普通的三极管Vebo只有5、6V。
Vebo的解释是发射极-基极的电压，在网上搜索的资料上看，主要指不能将C、E两极对调，即按照我刚才提及的电路图看，+10V可以用三极管控制通断，-10V则根本不能施加在三极管两端。
基于此的其他理解。
达灵顿管相当于是两个三极管合在一起，他的Vebo可以到10V，虽然也不大，但是如果有需要稍大一些反向耐压时，可以考虑。
即便是Vceo很大的功率三极管，他的Vebo仍然是很小。
PNP的三极管，Vebo有时会标为-5V。 光耦的输出部分也相当于三极管，所以也不能经受大的反向耐压。 MOSFET不存在Vebo，因为他有反并联二极管。
其他有趣的事：
ChatGBT好像不清楚Vebo的事，问他反向耐压大的三极管，会推给我很多Vceo大的型号。
最后，回到开头的问题，除了使用继电器，还有没有其他的方案，能够控制10V信号的通断，又能经受住-10V的反向耐压呢？我想过再串联一个二极管，但是整体信号的压降又增加了，不想用。如果有大佬和朋友有见解，还请赐教，不胜感激。
