PI的带保护IGBT驱动芯片SID11X2K,具有软关断,内部集成15VLDO,达8A的峰值驱动电流,无需外加推挽管,及9.5mm的爬电距离和电气间隙等特点,非常的适合IGBT的驱动。驱动芯片在门极防静电及干扰上,需要区别光耦的做法,即在IGBT的门极和光耦驱动芯片的Vee之间串电阻来做防静电保护功能,在光耦的设计这种方式可能可行,但是对于SID11X2K的驱动芯片,不建议使用该方法。总之整个设计成本上有优势,设计电路也简单。
从下图可以看出,驱动芯片副边SID11X2K的开通引脚GH和关断引脚GL功能是分开的,通过这个特点,芯片内部通过监测GH引脚电压状态,从而控制关断引脚GL的关断速度。由于IGBT属于压控型的IGBT,IGBT在开通之后是不需要电流进行维护导通的,所以GH引脚的电压状态是与IGBT门极电压同步,通过该方式芯片内部可以检测到IGBT的动作变化,可以实现实时控制关断引脚GL的动作状态,这样的调制方式形成芯片的软关断功能。设计者在选择驱动芯片时可以考虑具有软关断功能的驱动芯片,相比没有该功能的驱动芯片,可以提高IGBT在使用时的可靠性,防止IGBT在关断过程中由于应力,过热问题造成IGBT损坏。