随着目前新能源汽车的发展，SIC1182K SIC驱动芯片，能够很好满足目前对SIC MOS管设计时的过流及短路保护的功能；像新能源电驱，OBC及车载DC-DC中涉及到的SIC MOS管都可以用SIC1182来驱动，具有设计电路简单，保护功能齐全的特点。下图为SIC驱动芯片SIC1182K的引脚功能示意图。
SiC门极驱动器IC采用Power Integrations的高速FluxLink通信技术，可大幅增强绝缘性能。FluxLink是一项革新性的信号传输技术，它可取代光耦器和电容性或硅基方案，显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘。SCALE-iDriver器件还集成了多项对系统至关重要的保护特性，例如退饱和监控和电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)以及高级有源钳位(AAC)。此外，保护电路还可以在 2μs 内提供安全关断，满足SiC器件的快速保护需求。SIC118XKQ SiC-MOSFET门极驱动器IC还具有较强的外部磁场抗扰性能，其封装可提供≥9.5 mm的爬电距离和安全间隙，并且所采用的材料达到了IEC60112标准的最高CTI级 ——CTI 600。SIC118XKQ可在125°C结温下提供8A驱动，因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC-MOSFET逆变器设计。它的开关频率高达150kHz。在车用半导体中，SiC将会是未来趋势，SiC 器件在 EV/HEV 上的应用主要包括电机驱动系统逆变器、电源转换系统（车载DC/DC）、电动汽车车载充电系统（OBC）及非车载充电桩等方面，可支持多种应用。
