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SIC1182K-汽车级单通道SIC驱动器

SIC1182K是PI推出的一款可用于驱动SIC器件的驱动芯片,该芯片为单通道输出,由于输入输出隔离,因此可以应用于高耐压或者需要驱动与功率级隔离的场合,同时在125℃的结温下,该驱动芯片仍然可以输出8A的峰值驱动电流,该特性可以与SIC高耐温的特性相结合,使其可广泛应用于数百千瓦功率级的电源或高环温的场合。

由于其高达8A的输出驱动能力,用户在使用SIC1182K作为驱动后,可以通过更换功率管的耐流等级来适配不同的功率等级,而不需要更换驱动电路,十分的方便。另外,其高达150K的驱动频率,也更使得它与SIC器件更加的适配。

另外,SIC1182K还使用了PI独创的FluxLink通信技术,避免了光耦随使用时间增加而产生光衰从而影响整个器件的性能的可能。

下图为典型应用电路,具体参数计算可以参考手册

引脚定义

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阿飞啊
LV.5
2
2023-03-30 09:44

在过去的几十年中,主要的功率开关器件是基于硅(Si)的MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

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阿飞啊
LV.5
3
2023-03-30 09:45

SiC 器件从理论推断过渡到具体实现,发展并非一路顺畅快捷。但是在过去十年间,经过数次更新换代,每一次都伴随着工艺的改进和结构的重大变化,SiC 基 MOSFET 终于发展成熟。

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Marcia
LV.5
4
2023-03-30 10:54

程实际却是整个动力管理子系统 — 包括基本电机驱动、车载和外部充电器、电源使用和再生制动等功能,都与提高 EV 性能同等重要。

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2023-04-11 14:59

SiC 功率器件的能量损耗只有 Si 器件的 50%,发热量只有 Si 器件的 50%,且有更高的电流密度。

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2023-04-22 19:40

SIC1182K芯片为单通道输出,由于输入输出隔离,因此可以应用于高耐压或者需要驱动与功率级隔离的场合。

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spowergg
LV.9
7
2023-05-05 17:10
@dy-mb2U9pBf
SIC1182K芯片为单通道输出,由于输入输出隔离,因此可以应用于高耐压或者需要驱动与功率级隔离的场合。

SiC功率MOSFET由于其低导通电阻值和其他属性,非常适合更高电流的设计

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xxbw6868
LV.9
8
2023-05-05 17:36
@dy-mb2U9pBf
SIC1182K芯片为单通道输出,由于输入输出隔离,因此可以应用于高耐压或者需要驱动与功率级隔离的场合。

SIC1182K是一款单通道,8 A SiC栅极驱动器,具有高达1200 V的先进有源钳位和增强隔离。

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