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10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65

编辑:ll

10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65

型号:10N65

品牌:ASEMI

封装:TO-220

最大漏源电流:10A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:0.9Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

10N65场效应管

10N65的电性参数:最大漏源电流10A;漏源击穿电压650V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,Id=10A

RDS(开):0.9Ω (最大值)@VG=10V

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