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4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60

编辑:ll

4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60

型号:4N60

品牌:ASEMI

封装:TO-220

最大漏源电流:4A

漏源击穿电压:600V

RDS(ON)Max:2.5Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

4N60场效应管

4N60的电性参数:最大漏源电流4A;漏源击穿电压600V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=600V,Id=4A

RDS(开):2.5Ω (最大值)@VG=10V

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