锐骏半导体推出的RUH1H150S是一款N沟道功率MOSFET，具有超低漏源导通电阻特性，在VGS=10V，IDS=75A时，RDS(ON)的典型值为3.8mΩ。在TC=25℃时，其漏源电压VDSS为100V，栅源电压VGSS为±25V，二极管连续正向电流IS为150A，连续漏极电流ID为150A@VGS=10V，最大耗散功率为200W。RUH1H150S的最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO263封装。
产品特征
> 漏源电压100V，连续漏极电流150A
> RDS(ON)典型值3.8mΩ@VGS=10V
> 先进的HEFETⓇ技术
> 超低导通电阻
> 优秀的QgxRDS(ON)产品
> 100%雪崩测试
> 175℃工作温度
> 无铅环保（符合RoHS标准）
产品应用
电机驱动
不间断电源
DC/DC转换器
通用应用
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