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老规矩,先上图。
图中的Q3是一颗NMOS,30V30A,4V即可完全导通,内阻10毫欧。
这颗MOS负责控制输出的开和关。由芯片的VB/D引脚提供驱动电压。
疑惑就在于,整机并没有发现能提供高于输出电压4V的地方,VB引脚至少要高于输出电压4V才能完全导通,那么这个驱动电压是如何形成的?难道芯片内部就有泵电源?可是,泵电源的储能电容在哪里?
再一个,在电流不超过3A的应用中,这颗用作开关的MOS为啥不用PMOS?还可以省掉内部集成一个泵电源的成本。(内部有泵电源是我猜的)
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