请教大家一个问题，同一个电源使用普通的平面MOS传导辐射基本上都OK，更换为低导通内阻的kuMOS后测试EMI传导余量很小，辐射测试超标；
问题：kuMOS结电容小更容易驱动，是因为驱动更容易，导致mos开关速度更加的快速mos在线性区域的时间更小，开关变得更加的硬，导致动量成倍增加，这些干扰信号通过某个导线或者某个元件发射出去造成EMI测试中辐射超标。（我是这样想的不知道对不对，请大家多多指教）。
有没有比较好的办法去解决这个问题，在温度与EMI之间找到平衡点。
使用低内阻的mos主要是解决温度的问题；电源整体效率也会提高。
