我也搜集资料了解了一下,氮化镓是新一代的半导体材料,发展和未来应用的潜力巨大。氮化镓比硅禁带宽度大3倍,击穿场强高10倍,饱和电子迁移速度大3倍,热导率高2倍。这些性能提升带来的一些优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件,同时体积还更小,功率密度还更大。
总之,GaN可实现效率更高、性能更强、体积更小的电源设备,同时有效控制成本,是未来的一个发展趋势。
楼主多讲讲这个氮化镓技术的实现及工艺,理解的不是很透彻。
GaN 技术可以以比传统硅小得多的尺寸处理更大的电场,同时提供显着更快的开关速度。此外,GaN 技术可以在比硅基技术更高的最高温度下运行
截图中光说的优点,对GAN的缺点一个都不提。典型的西方双标。
是emode吗
氮化镓是新一代的半导体材料,发展和未来应用的潜力巨大
目前的零件能工作在125度左右,即使GAN能工作在200度,恐怕其他零件也没有能配合它的。
不过碳化硅的还是有一定的市场的
GaN HEMT体积小,开关速度块,有很好的电气性能,但是唯一的痛点,GaN的价格还是挺高的。
学习了很好的资料,了解了新技术。视频还带中文
是不是通过氮化镓一个案例还能发现更牛掰的东西了呢
未来发展的两个半导体应用市场氮化镓、二氧化硅。性能出色,趋势。