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氮化镓提高电源效率

RDS(ON) 和COSS是影响电源设计的两个关键参数,会影响到电源设计的开关频率,热设计,尺寸重量,可靠性等。在氮化镓晶体管中,COSS的增加与RDS(ON)的减少之比要低一个数量级。较低的RDS(ON)和较小的COSS损耗相结合,可以使用氮化镓设计出更高效率的电源,从而减少散热。所需耗散热量的降低也有助于缩小电源尺寸。频率提高可以选用更小尺寸的电感电容元件。随着COSS的大幅减小,氮化镓本质上比硅更高效,因此有可能提高基于氮化镓的电源的开关频率。虽然开关频率提高会增加开关损耗,但总损耗仍会显著低于硅MOSFET的损耗。

总之,氮化镓优异的参数有利于来设计体积更小、重量更轻、工作温度更低、可靠性更高的电源。

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2022-05-28 13:05

更高的频率需要有相应的驱动芯片,磁性材料支持,也要考虑更好频率,辐射骚扰的增加,EMC问题

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米修儿
LV.4
3
2022-05-28 15:00

氮化镓优异的参数有利于来设计体积更小、重量更轻、工作温度更低、可靠性更高的电源。氮化镓是未来的电源发展趋势,那氮化镓有哪些缺点或者说不足呢

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2022-05-28 15:31

GAN器件在高频率下可以保持比较小的开关损耗。但是相应的磁器件,整流二极管以及输出端的储能电容都需要有很好的频率特性,不然用了GAN也是白搭

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tanb006
LV.10
5
2022-05-28 17:12
@川理学子
GAN器件在高频率下可以保持比较小的开关损耗。但是相应的磁器件,整流二极管以及输出端的储能电容都需要有很好的频率特性,不然用了GAN也是白搭

确实如您说的这样。如果芯片集成了前级GAN和驱动,以及后级同步整流的GAN,或MOS。那就可以做到非常高效的模块化电源了。高压低压都不在话下。

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天晴朗
LV.5
6
2022-05-28 21:23

COSS的增加与RDS(ON)的减少之比要低一个数量级

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2022-05-28 22:13

GaN的驱动设计有什么指的注意的事项?

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小燕纸
LV.4
8
2022-05-28 23:24

GaN频率提高可以选用更小尺寸的电感电容元件

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XHH9062
LV.8
9
2022-05-29 20:11

氮化镓在PD行业应用还是比较多,相对来讲

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tabing_dt
LV.10
10
2022-06-05 21:10
@川理学子
GAN器件在高频率下可以保持比较小的开关损耗。但是相应的磁器件,整流二极管以及输出端的储能电容都需要有很好的频率特性,不然用了GAN也是白搭

用氮化镓开关替换硅开关会降低RDS(ON)和COSS的值,能够设计出更高效的电源.

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tabing_dt
LV.10
11
2022-06-05 21:11
@电源技能成长记
GaN的驱动设计有什么指的注意的事项?

GaN具有更低的栅-源、栅-漏电容,故总栅电荷更低,实现门极驱动器快速门极开关和低损耗。

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2022-06-05 21:13
@tabing_dt
GaN具有更低的栅-源、栅-漏电容,故总栅电荷更低,实现门极驱动器快速门极开关和低损耗。

低输出电容提供较低的关断损耗,通常对于GaN来说,Qg是几nC,约是类似的硅MOSFET值的十分之一

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2022-06-05 21:14
@tabing_dt
用氮化镓开关替换硅开关会降低RDS(ON)和COSS的值,能够设计出更高效的电源.

实现在更高频率下工作,而对效率的影响较小,这有助于缩小变压器的尺寸。

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cmdz002
LV.5
14
2022-06-19 11:58

“效率提高3%相当于损耗减少至少35%。氮化镓设计的能耗更少,产生的热量减少35%。

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tanb006
LV.10
15
2022-06-20 22:25
@眼睛里的海
实现在更高频率下工作,而对效率的影响较小,这有助于缩小变压器的尺寸。

有时候体积也不能无限缩小。铜损是肯定的,线还是得那么粗。最小一匝也是必须的,然而,一匝就带来了漏感的问题。

漏感会被一匝影响。注定漏感小不了。

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听听1234
LV.2
16
2022-06-24 09:21

在氮化镓晶体管中,COSS的增加与RDS(ON)的减少之比要低一个数量级。较低的RDS(ON)和较小的COSS损耗相结合,可以使用氮化镓设计出更高效率的电源,从而减少散热。

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Currin
LV.2
17
2022-06-24 16:17

有道理,有机会试一下氮化镓的电源,应该会不错

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XHH9062
LV.8
18
2022-06-27 09:27

氮化镓的效率以及功率密度是可以做到很高的

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天晴朗
LV.5
19
2022-06-27 23:39

氮化镓有利于来设计体积更小、重量更轻、工作温度更低、可靠性更高的电源

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Fourier
LV.1
20
2022-07-26 20:12

RDS时导通电阻,Coss寄生输出电容,会想想导通损耗和开关速度的参数。

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svs101
LV.8
21
2023-04-20 17:08
@天晴朗
COSS的增加与RDS(ON)的减少之比要低一个数量级

用氮化镓器件取代硅MOSFET,在整个负载范围内将可实现约3%的效率改进。

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svs101
LV.8
22
2023-04-20 17:09
@tanb006
确实如您说的这样。如果芯片集成了前级GAN和驱动,以及后级同步整流的GAN,或MOS。那就可以做到非常高效的模块化电源了。高压低压都不在话下。

GaN技术COSS的大幅减小,有了更大的灵活性,可以针对损耗优化开关频率

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2023-04-24 22:09

氮化镓效率高在于阻抗低,减少外围电路的需求,还有哪些优势?

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dy-StTIVH1p
LV.7
24
2023-04-24 22:15

氮化镓器件的传输特性对提高电路系统的传输效率应该会有明显作用

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denyuiwen
LV.6
25
2023-04-24 22:37

RDS(ON) 和COSS是影响电源设计的两个关键参数,两个参数良好,电源效率自然上去了,应用集成化电路上用得多,但是相对价格,也是蛮高的。比较多用COOLMOS。

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change0806
LV.6
26
2023-04-25 12:02

高效率就用这个肯定是没错的。但是就是价格的话会比较贵。

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2023-04-25 21:50

GaN和siC的应用前景很好,希望能在提高能率密度中大放异彩

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