MOSFET在什么样的情况下会出现栅漏源极全部击穿的现象啊?
请高手帮帮忙,指点一下.
MOSFET击穿
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@zhangjunfuabc
我只是希望能得到大家不同的见解或能够造成全穿的可能性,并非说一定就是哪个原因造成的.大家的观点都说了,我可能就知道是哪个原因了.那么,高手能否赐教你所说的一百种可能性呢?
MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.
使用方面:
1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.
2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!
3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.
4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.
5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.
6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.
休息一下,有时间再写.
使用方面:
1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.
2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!
3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.
4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.
5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.
6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.
休息一下,有时间再写.
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@xkw1
MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.使用方面:1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.休息一下,有时间再写.
请问,高压264V开机炸机的原因可能是哪种呢,谢谢.
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@xkw1
MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.使用方面:1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.休息一下,有时间再写.
请高手继续指点,我们公司最近遇到一批板子出现mosfet全通现象很是头痛,请高手执教.
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@xkw1
MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.使用方面:1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.休息一下,有时间再写.
)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.
这个我不太明白,可以说的具体点吗
这个我不太明白,可以说的具体点吗
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@xkw1
MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.使用方面:1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调!3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲.休息一下,有时间再写.
请问：在mosfet没有完全失效时，mosfet的老化对电源本身的性能有什么影响？
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@hhwolf
我遇到的最多的情况是: 短路,导致短路电流过大
上面的兄弟，264V开机炸管主要有以下方面：
一、上电瞬间，次级电容充电过程相当于短路，导致启动电流大，应该适当增加软启动；
二、264V输入的时候，常规的分立器件RCC还好，如果是IC驱动的话会存在副绕组电压过冲而导致IC紊乱而炸管子，IC必坏，有软启动和VCC箝位的话几乎可避免；
三、反馈的动态也很重要，像TL431，很多人都不理解为什么日本的电源很多都会在AK或RK之间并联一个UF级的电解电容，这个电容还和主滤波电容存在一定的比例关系；
四、板子的清洁程度和残留物质之类的不确定因素，也许干燥的时候很好，一遇到潮湿天气就炸；
五、264V的MOS尖峰问题，这当然和设计的余量和器件的耐压余量有关，高压空载加电的第一个高占空比脉宽之后的尖峰很可怕，设计的余量要用这个来估算，当然，针对且有效的措施也能完全避免，如：合理而快速有效的尖峰吸收电路；
六、顺序加电的问题，这是老话了，先低压功能测试老化后再高压测试可靠性。
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