500W APFC 的效率

我的在低端90V输入时,效率只有86.5%,整机效率只有76.3%.PFC部分的测试数据如下表.各位高手给点意见,请不吝赐教,谢谢!

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效率挺高的,请问你用什么拓扑,什么控制芯片做的

我用的是NCP1653.

变压器参数? F?

上面那组数据由于输入回路串有热敏电阻(后级没工作,所以继电器没有吸合),下面这组数据是将热敏电阻短路测得的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/30591223623753.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

频率67KHz.电感48Ts,560uH.调整过匝数和电感量,但好像对效率没什么影响.

没图怎么看呢?

你这pfc是芯片内部调整?有没有1653 datasheet,发上来,

这效率可以,我们用4981也差不多.

不至於吧,90v輸入500w輸出,如果材料選用合適應該要有92%以上有效率.

请高手赐教,该主要从哪几方面着手?

比芯片数据表所提供的低了好多.

请高手指点.我MOS用两颗460并联,分别增加了图腾柱推动.上升沿为330ns,NCP1653A芯片频率67kHz.PF电感用ETD44(PC40).

我不是高手,之前我也想用这棵芯片来做一个电源.按你现在情况应先测下电感是否已饱和.

还有分析下主要损耗在那个地方?是开关管还是变压器?

还有低压时光整流桥损耗也近10W了.

没有看到电路图,猜想而已~
不知道您APFC的辅助供电线路在90V低压时是否足够屏蔽掉启动供电电路?
我以前做过的一款PFC就出现过低压时一直由启动供电线路供电,大部分能量消耗在分压电阻上了.
另外如果需要两个460并联的话是否可考虑用单个32N50?省掉的一半图腾驱动电路及460也应该差不多能抵掉32N50多出的成本.而这样对效率及稳定性提高应该还是有帮助的.

谢谢的分析和建议.供电电压我有测过的,输入在90-260之间变化时,辅助供电在14.7V至15.3V范围.不过我没有加关断电路,也就是说启动供电电路一直在线,所以还没有分析这条线路引入损耗究竟有多大.
    另外,你说的用32N50取代两个460,我在调试的时候也有试过,用的是英飞凌的32N50,效率确实不比两颗460差,但单颗MOS的散热效果好像要差一些,结温较高.

谢谢!开关管的损耗我想已经差不多了,无非就是Rdson的大小及前后沿的损耗.但PF电感上的损耗我没有太多的研究,只是从匝数和感量上做过简单调整.不知道用铁硅铝的环对效率的影响怎么样?

泵升模式是以时间换取电压,即使管子无耗,效率也低于降压式的.

看了楼上的低端90V输入时,效率只有86.5%,认为是有点偏低的,应该可以做到至少88%左右吧?
   楼上的可以换下PFC的二极管为SIC 碳化硅材质的再看下可以提升多少!
   同时改善下PFC开关管驱动波形的前后沿,应该会有不少改善的.

匝比多少?

谢谢!86.5%是输入端的热敏电阻没有短接时的效率,短接后数据见我贴出第二个表格.可以达到88.5%.但这个效率我觉得还低了点,因为要考虑整机的效率.
你说的SIC 碳化硅材质的二极管可否推荐一个具体型号,谢谢!驱动的前后沿在分别为330ns和300ns.应该差不多了.

贴波形上来瞧瞧~~~~另外,你的电感量在不饱和的情况下可以大点~~~~因为开通损耗,Pr=I^2*Rds,感量大,峰值电流就会小点~~~不过,最好还是把你的波形及图贴上来~~~~~~~~没这两样,大家只能猜测~~~~~~无法具体判断!

谢谢指点!
驱动波形(手机拍的,不是很清楚):
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上升沿:
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下降沿:
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你的下降沿有点问题哟~~~~!一般下降沿应该比上升沿时间短才对!有没有在开关管G极与IC驱动脚之间反并二极管?还有中间的电阻是多大的?能把原理图贴上来不?

不好意思,原图在设计时没有加驱动.在调试时发现驱动不足,所以另外搭了小电路来驱动.NCP1653的DATASHEET上面标明是驱动电流为+/-1.5A,我觉得足够了,可实际测试才发现不是那么回事,呵呵.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/30591223890212.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

高手谈不上,只是曾经接触过,我想你可以从你的驱动--要够快,在mos栅极可以加PNP晶体管做快速放电,开关mos--RDS要小,和升压二极管恢复时间一定要快.选择等方面来考虑提升效率.热敏电阻消耗的功率也很可观--可以放在二极管之后.电感可以适当把感量做做调整.

不建议用1653芯片理由如下:动态响应慢,上升时间长,抗干扰能力弱(跟其他家类似芯片比).

R上应该要反并二极管~~~~~加速关断~~~把关断损耗降下来!

谢谢!因为我的驱动电阻很小(4.7R),所以反并二极管的效果并不明显,加上二极管后,下降沿是可以再减小几十ns,但从测测试数据来看,似乎没有什么影响.我想从MOS管方面着手的空间已经很小了.不知道从其它方面有什么高见?

效率是太低了.至少要在92%才是正常的.