微软公司宣布不再支持你正在使用的 IE浏览器,这会严重影响浏览网页,请使用微软最新的Edge浏览器
您好, 登录| 注册|

半桥电路

  • 01-14 17:43
  • 初夏1

    LV.0
  • 275

    浏览

  • 9

    回复

  • 0

    获赞

  • 1200VDC电源板问题描述

    1200VDC电源板问题描述.docx

    附件中有更详细的描述,实在想不通问题出在哪里,希望知道的高手指点一二,万分感谢。

    主电路为采用SG2525驱动的半桥电路,驱动电阻开通20Ω,关断10Ω

    原理图为800VDC半桥电源增加母线电容和器件电压应力所改,800V板子已验证没有问题。1200V板子上

    磁性器件和控制均一样,但在母线500Vdc时,MOS就损坏,MOS用的ST的管子,STW21N150K5

    高压板在低压情况下启动波形异常,电压升高时MOS管损坏,

    另外我把ST900V的管子(即800V板子所用的管子)用在1200的板子上,也可以跑到800V时,换成1500V的管子600V都跑不上去,这是最不能理解的。

    两桥臂驱动毛刺非常大

    上图黄色:输出48V电压;绿色:桥臂DS电压波形;蓝色:驱动波形

    下图是两个桥臂DS波形:

    正常波形应该跟下面一样

    黄色驱动;绿色DS电压;蓝色输出48V电压

    同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!

    0人已赞

    编辑 举报

    LV.1

    4260712

    2512172

    23

    755217

    说说你的看法

  • LV.

    @

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    取消
    发送
  • 现在还没有回复呢,说说你的想法

    现在还没有回复呢,说说你的想法

    全部回复(9)

  • ymyangyong

    LV.1

    01-15 12:43

    @

    把STW21N150换到老电源板上试过没有?

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260717

    2512172

    23

    474301

    取消
    发送
    2
  • 米山人家

    LV.1

    01-15 18:40

    @

    没看到具体的驱动波形,高母线电路对驱动的要求特别高。

    死区时间是多少呢,这STW21N150体内二极管的反向恢复时间接近0.5us,

    C5,C14要么不用,要么用更大容量,10nf只会引起振荡

    高电压的mosfet的结电容非常大

     

    不过,上面这些都不是根本问题,高母线电压的半桥需要特殊的处理技术

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260719

    2512172

    23

    126821

    取消
    发送
    3
  • 初夏1

    LV.1

    01-17 08:37

    @米山人家

    没看到具体的驱动波形,高母线电路对驱动的要求特别高。

    死区时间是多少呢,这STW21N150体内二极管的反向恢复时间接近0.5us,

    C5,C14要么不用,要么用更大容量,10nf只会引起振荡

    高电压的mosfet的结电容非常大

     

    不过,上面这些都不是根本问题,高母线电压的半桥需要特殊的处理技术

    门极电容已经去掉了,高电压半桥电路的特殊处理具体指什么呢?

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260729

    2512172

    23

    755217

    取消
    发送
    4
  • 初夏1

    LV.1

    01-17 08:54

    @ymyangyong

    把STW21N150换到老电源板上试过没有?

    还没有,老电源板焊多了,焊盘快掉了就没试

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260730

    2512172

    23

    755217

    取消
    发送
    5
  • 初夏1

    LV.1

    01-17 08:59

    @米山人家

    没看到具体的驱动波形,高母线电路对驱动的要求特别高。

    死区时间是多少呢,这STW21N150体内二极管的反向恢复时间接近0.5us,

    C5,C14要么不用,要么用更大容量,10nf只会引起振荡

    高电压的mosfet的结电容非常大

     

    不过,上面这些都不是根本问题,高母线电压的半桥需要特殊的处理技术

    驱动波形就是上面第一张图,起初的毛刺非常大,死去时间我设的3us,我是觉得起初驱动毛刺不应该这么大,但是没找到原因

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260731

    2512172

    23

    755217

    取消
    发送
    6
  • 米山人家

    LV.1

    01-17 13:18

    @初夏1

    驱动波形就是上面第一张图,起初的毛刺非常大,死去时间我设的3us,我是觉得起初驱动毛刺不应该这么大,但是没找到原因

    如果是MOS管导通瞬间毛刺大,说明,MOS开通瞬间,是有极高电流冲击的

     

    一方面和驱动电路有关,另一方面和柘朴结构有关,有暂时的容性状态,可能是MOS的DS端并联了吸收电容,也可能是变压器的分布电容过大

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260734

    2512172

    23

    126821

    取消
    发送
    7
  • 初夏1

    LV.1

    01-17 16:44

    @米山人家

    如果是MOS管导通瞬间毛刺大,说明,MOS开通瞬间,是有极高电流冲击的

     

    一方面和驱动电路有关,另一方面和柘朴结构有关,有暂时的容性状态,可能是MOS的DS端并联了吸收电容,也可能是变压器的分布电容过大

    但是如何解释用低压管反而就可以呢,而且几次故障怀疑都是在中间有一段没有驱动,后面再打出驱动的一瞬间坏的,起初也怀疑过变压器的分布电容,后来看了一些资料,分布电容的影响好像也是有限的

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260738

    2512172

    23

    755217

    取消
    发送
    8
  • 米山人家

    LV.1

    01-17 19:37

    @初夏1

    但是如何解释用低压管反而就可以呢,而且几次故障怀疑都是在中间有一段没有驱动,后面再打出驱动的一瞬间坏的,起初也怀疑过变压器的分布电容,后来看了一些资料,分布电容的影响好像也是有限的

    你用的低压管具体是什么型号呢

    低压管可以,而高压管不可以,可能的原因,

    一个原因是低压管可能是老型号,老型号的MOS管需要较大芯片面积才能达到额定电流,较大的芯片面积抗冲击性强,短路耐受时间比较长,可达10us,而新型号由于新工艺,能够实现更小面积达到额定电流,性价比更高,代价是短路耐受时间变短,只有好像6us甚至更短,抗冲击能力变差。

    而高电压的MOS管肯定是新工艺才能实现的,高耐压的代价可能是以牺牲短路耐受能力牺牲抗电流冲击能力为代价的。

    还有一个可能的原因是,结电容不同,会引起的dv/dt不同,这个原因相对小。

    另外,开通电压也有差异。

    最后还有一个原因,有些管子比如IGBT是驱动电压达到阈值时是瞬时开通的,线性导通区间非常短,要求驱动前沿不要太陡,适当减缓开通时间以减小电流冲击。而有些MOS管开通是随驱动电压升高线性开通的,要求驱动电流要非常高开通时间尽可能短,以减小损耗。

    你们在做什么电源呢,我做的全桥单变压器就能实现20KW,输出电压几百伏到几万伏,包括双向DC-DC转换,需要的话可以联系我,加快你们的产品进程

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260744

    2512172

    23

    126821

    取消
    发送
    9
  • 初夏1

    LV.1

    01-18 09:10

    @米山人家

    你用的低压管具体是什么型号呢

    低压管可以,而高压管不可以,可能的原因,

    一个原因是低压管可能是老型号,老型号的MOS管需要较大芯片面积才能达到额定电流,较大的芯片面积抗冲击性强,短路耐受时间比较长,可达10us,而新型号由于新工艺,能够实现更小面积达到额定电流,性价比更高,代价是短路耐受时间变短,只有好像6us甚至更短,抗冲击能力变差。

    而高电压的MOS管肯定是新工艺才能实现的,高耐压的代价可能是以牺牲短路耐受能力牺牲抗电流冲击能力为代价的。

    还有一个可能的原因是,结电容不同,会引起的dv/dt不同,这个原因相对小。

    另外,开通电压也有差异。

    最后还有一个原因,有些管子比如IGBT是驱动电压达到阈值时是瞬时开通的,线性导通区间非常短,要求驱动前沿不要太陡,适当减缓开通时间以减小电流冲击。而有些MOS管开通是随驱动电压升高线性开通的,要求驱动电流要非常高开通时间尽可能短,以减小损耗。

    你们在做什么电源呢,我做的全桥单变压器就能实现20KW,输出电压几百伏到几万伏,包括双向DC-DC转换,需要的话可以联系我,加快你们的产品进程

    我用的都是st系列的管子,做的是一个250W的半桥辅助电源,低压用的STW15NK90Z,因为都是MOS管,所以我觉得应该开通方式上都差不多,但是你说的工艺差异导致的短路耐受时间差异这个我还不是很清楚,datasheet上好像也没看到

    0

    设为最佳答案

    置顶

    编辑

    删除

    举报

    #该内容仅管理员可见#

    #回复内容已被删除#

    #该内容正在审核#

    回复:

    4260745

    2512172

    23

    755217

    取消
    发送
    10
  • 现在还没有回复呢,说说你的想法

  • 回复

  • 收藏

  • 点赞

  • 举报有害信息

  • 已超出发布时间24小时,无法编辑与删除
    关于我们 联系方法 广告服务 会议服务 电子星球APP 网站地图 不良信息举报 热线:400-003-2006
    © 2002-2021 Netbroad(网博互动)公司版权所有 津ICP备:11006234号 联网备案号:12010402000747 增值电信业务经营许可证:津B2-20120058