通常flyback反激嵌位线路使用RCD，而本例嵌位线路中R1值为4.7MΩ，D1~D3使用的是SOD123封装，但不知道具体型号，本体的mark 查不到具体型号，嵌位之后MOS VDS电压最大在637V（第一张示波器波形)。D1~D3使用FR107, 1N4007, RL207等快慢管都试了，MOS VDS电压都在750V以上(第二张示波器波形)。此线路应用比较少，请各位大佬帮忙指导，D1~D3使用什么类型的管子？
通常flyback反激嵌位线路使用RCD，而本例嵌位线路中R1值为4.7MΩ，D1~D3使用的是SOD123封装，但不知道具体型号，本体的mark 查不到具体型号，嵌位之后MOS VDS电压最大在637V（第一张示波器波形)。D1~D3使用FR107, 1N4007, RL207等快慢管都试了，MOS VDS电压都在750V以上(第二张示波器波形)。此线路应用比较少，请各位大佬帮忙指导，D1~D3使用什么类型的管子？
