请教mos管控制电流关断时烧MOS的问题

5v驱动电压太低了，MOS没饱和导通，建议12v。另外，R15阻值偏大，关断速度偏慢。

关断是由下拉电阻R15和Q3组成的倒向电路完成，这样关断速度可以保障。只是驱动电压太低，仅仅5V，MOS不能饱和导通，驱动不足处于线性放大工作状态。驱动电压改用12--18V。CTRL拉低，正是MOS导通状态，导通烧管，正是驱动不足的表现。

谢谢纠正。楼主说当+48V_CTRL管脚拉低时烧MOS管，说明开通驱动电压不够，且速度偏慢了。

您好。这是烧坏时捕捉到的波形。驱动电压已经改为15V，红色是IDS，绿色是VGS，应该是启动瞬间浪涌电流过大，将MOS烧坏。不知道可有好的方法能够抑制这个浪涌电流？

怎么有浪涌电流，你的负载是什么？

如果是浪涌，MOS的VDS并一个双向的TVS管就可以了

这就是电容ESR捣鬼导致的，使用ESR较大的电解电容时，ESR限制住了流经电容的最大电流，所以冲击电流并不会太大；而ESR非常小的MLCC，在电源接通的瞬间近乎直接断路到地，所以会出现巨大的冲击电流。我这次算是败给了直觉，直觉认为电容量决定了冲击电流，而实际上ESR才主导冲击电流的最大值，电容量更多的是决定充电的总能量（或者说电流与时间的乘积）。元凶找到了，现在的问题是如何整改，最简单的整改方法就是给MOS管加缓启动电路。缓启动电路以前也没少用，不过这次设计偷懒，直觉又觉得不会出问题，所以就没加上去，结果翻车了。MOS管缓启动电路的思路非常简单，充分利用MOS管的线性区，不让MOS管突然从截至跳到饱和就行了，也就是要给Vgs缓慢变化而不是突变，这样MOS管在上电过程中相当于一个可变的电阻，可以温柔地给负载电容充电而不是一口气吃一个胖子。电容两端电压不能突变，所以在MOS管的栅极和源极之间跨接一个电容，栅极通过电阻或者恒流源缓慢对电容放电而不是简单粗暴开关接短接到地，这样就能让Vgs缓慢变化了。