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SIC1182K~~最大8A可有源道的单通道SiC MOSFET门极驱动器

  • 2021-11-28 20:45
  • 不可说

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  • SIC1182K驱动芯片支持的拓扑结构:

    SIC1182K是采用eSOP-R16B封装的单通道SiC MOSFET门极驱动器。该器件利用Power Integrations革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。

    其峰值输出驱动电流可达±8A,可直接驱动600A(典型值)以下的开关器件。

    该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

    此外,这款门极驱动器IC还具有一项新特性 —— 高级有源钳位(关断时),可通过一个检测管脚同时提供短路保护(开通时和开通过程中)和过压限制。如果所驱动的半导体提供电流检测端子,则支持可调过流检测。

    芯片封装也是奇怪的封装样子:eSOP™-R16B,这样的封装真的不容易找替代啊,怎么好像PI很喜欢用这种比较异类的封装,

    应用: 通用和伺服驱动器; UPS、光伏、焊接逆变器和电源;其他工业应用,比如工业水泵。

    SIC1182K驱动芯片的典型应用电路:

    SIC1182K驱动芯片的内部结构:

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  • 荧火

    LV.1

    2021-12-01 15:28

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    这是带隔离功能SiC MOS驱动,不过现在很多都是集成在MOS里的了。

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  • 眼睛里的海

    LV.1

    2021-12-03 20:31

    @荧火

    这是带隔离功能SiC MOS驱动,不过现在很多都是集成在MOS里的了。

    eSOP™-R16B封装的散热性能更好,相比于其它的封装能够使设计出来的产品的体积更小更薄。

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  • 眼睛里的海

    LV.1

    2021-12-03 20:34

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    SIC1182K可以驱动IGBT和SIC等,同时还提供短路保护和过压限制等保护功能。

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  • ehi763

    LV.1

    2021-12-03 21:56

    @眼睛里的海

    eSOP™-R16B封装的散热性能更好,相比于其它的封装能够使设计出来的产品的体积更小更薄。

    隔离式SiC栅极驱动器上封装引脚的3,4,5和6的合并连接提供了热路径以及大量的初级侧接地连接,这样散热更好,毕竟,这类开关管功率都比较大。

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  • cmdz002

    LV.1

    2022-04-23 10:26

    @

    具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

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  • tanb006

    LV.1

    2022-06-23 23:24

    @

    这驱动有点贵。而且太占地方了。

    同样面积,用隔离光耦和独立驱动电路就够了。成本还便宜。

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  • tanb006

    LV.1

    2022-11-25 22:51

    @ehi763

    隔离式SiC栅极驱动器上封装引脚的3,4,5和6的合并连接提供了热路径以及大量的初级侧接地连接,这样散热更好,毕竟,这类开关管功率都比较大。

    它散热片为什么在前级?

    按理说发热的应该是后级驱动部分啊。

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