INNOSWITCH开发的快充电源优势

PI的InnoSwitch系列IC将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装离线式反激开关IC中。集成了初级MOSFET、初级侧控制器、用于同步整流的次级侧控制器以及可省去光耦器的创新性的FluxLink技术。具备I²C接口的高集成度的数字控制方案，SR开关时序的精确控制可提高效率和可靠性。

由于INNOSWITCH内部集成了PWM控制器及fluxlink、二次侧的控制电路，因此电路设计简单，电源开发框图如下：

通过搭配PI的快充协议或英集的控制器协议芯片，实现快充设计。超高的集成度，使电路更加简化，外壳更加紧凑。

但一般的快充设计电源就需要主开关芯片、PWM芯片及光耦隔离器件，整个电路设计比较复杂，同时次级侧需要同步整流控制器，电路复杂，体积变大，不利于产品尺寸小型化开发。常见的设计框图如下：

因此，InnoSwitch开关IC可提供电源输出电压及电流的数字化微调，电压调节精度10mV, 电流调节精度50mA，实现对电池充电的精确控制，符合PPS快充协议，平均能效超过90%，待机功耗低于30 mW，符合最新的能效标准。

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米修儿

LV.4

2021-11-25 12:41

InnoSwitch系列中的PowiGaN是Power Integrations内部开发的氮化镓（GaN）技术。PowiGaN开关取代了原边的传统硅晶体管，降低了开关损耗，并使电源比硅替代品更高效、更小、更轻。基于PowiGaN的IC在整个负载范围内可实现高达95%的效率，在封闭式适配器实现中可实现高达100 W的功率，而无需散热器

米修儿

LV.4

2021-11-25 12:43

文中的FluxLink通信技术使反馈信息能够跨越隔离栅传递，而无需使用任何磁性材料。FluxLink提供非常高的通信带宽，可实现更快的负载瞬态响应。这项专有技术符合所有全球抗噪标准。在安全方面，它不仅符合UL和TUV全球隔离标准，还符合更严格的CQC 5，000米中国安全标准。，

svs101

LV.8

2021-11-25 13:46

@米修儿

InnoSwitch系列中的PowiGaN是PowerIntegrations内部开发的氮化镓（GaN）技术。PowiGaN开关取代了原边的传统硅晶体管，降低了开关损耗，并使电源比硅替代品更高效、更小、更轻。基于PowiGaN的IC在整个负载范围内可实现高达95%的效率，在封闭式适配器实现中可实现高达100W的功率，而无需散热器

PI的芯片内部采用GaN技术，开关损耗大大降低，利于产品的质量提升。

svs101

LV.8

2021-11-25 13:46

@米修儿

FluxLink通信技术既可以实现原边与次边的隔离绝缘，绝缘电压高，又可以通信。

iszjt

LV.5

2021-11-25 14:26

如何增大输出功率?能不能把输出电压抬高?

尘埃中的一粒沙

LV.5

2021-11-25 14:35

@米修儿

InnoSwitch系列中的PowiGaN是PowerIntegrations内部开发的氮化镓（GaN）技术。PowiGaN开关取代了原边的传统硅晶体管，降低了开关损耗，并使电源比硅替代品更高效、更小、更轻。基于PowiGaN的IC在整个负载范围内可实现高达95%的效率，在封闭式适配器实现中可实现高达100W的功率，而无需散热器

PowiGaN产品可实现体积更小，重量更轻，效率更高的充电器。