• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

反激变换器MOS管启动尖峰求教

电路拓扑采用光耦二型反馈,输入电压范围15-50V,输出12V,功率5W

部分电路拓扑如下所示:

主功率MOS管处:

反馈侧:

实验过程如下:

一、输入电压不同时:

输入电压28V时,MOS管尖峰约为70V。

输入电压40V时,MOS管尖峰约为150V。

输入电压50V时,MOS管尖峰约为165V。

由上发现,MOS管尖峰随输入电压上升而增大,

因MOS管Vds=150V,故当Vin=50V时,MOS管被击穿。

二、启动方式不同时:

使用开关启动时,输入电压及MOS管漏极尖峰如下:

使用直流程控电源启动时,输入电压及MOS管漏极尖峰如下:

故求教:

1、如何通过调试电路从而消除或者降低MOS管启动尖峰?

2、启动尖峰是否可以通过更换启动方式或者更换开关类型而避免?

望各位大神不吝赐教。拜谢了

全部回复(7)
正序查看
倒序查看
2021-11-19 09:53

一是TL431的环路,你就一个电容

二是初级吸收,你的图都没给出来

0
回复
2021-12-01 14:34

初级吸收电路没给出来不好说,变压器匝数设计也有影响。

0
回复
2021-12-02 09:23

启动方式的不同

使用开关直接上电,你的输入电压会很快的达到输入电压,所以启动尖峰大

使用程控电源的话,(电源输出电压)反激输入电压会慢慢上升(从图中有这个感觉),所以你的输出电压也会慢慢上升,因此初始尖峰较大。

对于第一种情况的解决方案:1. 加软启动电路

2. 调节控制环路pid参数 使过冲消失(但是响应速度可能会变慢)

0
回复
WZQFCFC
LV.1
5
2021-12-02 09:53

调整RCD吸收参数

0
回复
2021-12-02 09:54

…………………

0
回复
2021-12-02 10:16

启动时VDS过高,一般通过RDC吸收电路降低,都不知道你的吸收电路参数怎么加的

0
回复
2021-12-02 10:38

减小变压器原边的漏感

0
回复