电路拓扑采用光耦二型反馈，输入电压范围15-50V，输出12V，功率5W
部分电路拓扑如下所示：
主功率MOS管处：
反馈侧：
实验过程如下：
一、输入电压不同时：
输入电压28V时，MOS管尖峰约为70V。
输入电压40V时，MOS管尖峰约为150V。
输入电压50V时，MOS管尖峰约为165V。
由上发现，MOS管尖峰随输入电压上升而增大，
因MOS管Vds=150V，故当Vin=50V时，MOS管被击穿。
二、启动方式不同时：
使用开关启动时，输入电压及MOS管漏极尖峰如下：
使用直流程控电源启动时，输入电压及MOS管漏极尖峰如下：
故求教：
1、如何通过调试电路从而消除或者降低MOS管启动尖峰？
2、启动尖峰是否可以通过更换启动方式或者更换开关类型而避免？
望各位大神不吝赐教。拜谢了
