100W内小功率电源中，反激架构应用最为广泛，也是最符合成本要求的。
对于65W内的适配器，PF只需要0.5，所以无需功率因素校正电路。
正激，LCC成本和空间利用率比较低。
手机快充及一些常规超极本，充电功率基本在65W左右，比如我用的K40游戏手机充电充电器功率67W，工作电脑戴尔灵越5488，充电器功率65W。接口都统一了type C
目前市场上PD快充非常火热，加之用户对快充头体积要求越来越高，使得研发人员不得不想尽办法提高电源功率密度及效率。
反激软开关基于目前市场越来越受到重视，毫无疑问，软开关好处太多了：
1.开关管处于零电压导通，发热小
2.ACF架构可以回收利用漏感能量，效率高
3.开关管零电压导通，所以开关频率可以做得很高，比如300KHz，体积减小非常多
我之前也做过一款输出83W反激ACF电源，分享给大家：
采用的是控制器加外置GAN，开关频率350KHz，体积非常小。不过调试EMI非常有讲究，需要经过一番研究才能得出经验。
再分享机组测试波形：
三号探头紫色波形，从左到右第一个波形，上升沿出有一个电压尖峰，有没有人知道原因？哈哈
探头1，黄色：变压器原边电流波形
探头2，蓝色：下管驱动波形
探头3，紫色：次级同步整流MOS电压波形
探头4，绿色：下管DS电压波形
可见下管MOS导通前电流为负向，导通时两端压降为0，DS脚没有一点漏感尖峰电压。
图二波形，可见频率约为300KHz
满载效率94.8%，效果非常好
但这个电源有个很大缺点，元器件非常多，导致调试需要花费很长时间，对工程师的技术水平要求相对较高，那种半桶水、一天到晚就知道瞎吹牛的就别想啃这块骨头了。
而让IC应用简介化，外围器件精简化，是我们IC原厂的终极目标，由此InnoSwitch4系列芯片孕育而生。
精简的外围，超级容易上手，下面看原理图：
再看我之前设计的外置MOS反激软开关原理图：
外围元器件数量相差太多了。
未来适配器一定是向着轻量化、普通便携电子设备均支持快充、接口一致、高功率密度方向发展。
InnoSwitch4系列芯片正是这个目标，内置MOS，最大支持功率110W，目前已经在很多快充头中应用，未来推广力度会越来越大，各大IC原厂也会朝着这个方向研发更多新产品。
