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SCALE-iDriver IC门极驱动器

  • 2021-10-18 22:16
  • 不可说

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  • SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。

    FluxLink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路,从而增强系统运行的可靠性,同时降低系统的复杂度先进的系统安全和保护功能(常用于中压和高压应用)可增强产品可靠性创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级,经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100认证汽车应用SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8A驱动,并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计

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  • 快乐的小天使

    LV.1

    2021-11-23 09:43

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    可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,以及如何提高可靠性的呢,爬电距离短会有哪些危害嗯

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  • 眼睛里的海

    LV.1

    2021-12-08 21:03

    @快乐的小天使

    可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,以及如何提高可靠性的呢,爬电距离短会有哪些危害嗯

     爬电距离过小电路抗干扰能力差,对于强电电路,以220V市电电路为例,一般要求爬电距离在5mm以上,才能满足耐压达到4kV.

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  • 不可说

    LV.1

    2021-12-23 13:54

    @快乐的小天使

    可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,以及如何提高可靠性的呢,爬电距离短会有哪些危害嗯

    在安规上要求一次侧和二次侧的爬电距离和电气间距,这个看执行的是EN的哪个标准。通常可以根据电压估算出来爬电距离,楼下说的对也不完全对,300VAC爬电距离留5mm就够了,220V的爬电距离就更小一些

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  • 听听1234

    LV.1

    2022-01-25 16:54

    @

    可以把驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT的原理以及应用重点梳理一下

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  • cmdz002

    LV.1

    2022-04-23 10:28

    @

    可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计,难得的设计方案

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  • tanb006

    LV.1

    2022-06-23 23:29

    @快乐的小天使

    可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离,并且相对漏电起痕指数(CTI)为600,以及如何提高可靠性的呢,爬电距离短会有哪些危害嗯

    这芯片是针对车规级使用的。在汽车的使用环境中,灰尘是一个天敌。

    因此要能保证在户外潮湿、多灰尘、高低温的情况下保持安全距离,肯定是比室内用途的电器要求更苛刻才行。

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  • tanb006

    LV.1

    2022-11-25 22:56

    @

    有没有使能互锁功能?多个同时使用的情况下实现一个失效、其他互锁?

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