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SCALE-iDriver IC门极驱动器

SCALE-iDriver系列门极驱动器IC可同时为IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驱动，也是首款将Power Integrations首创的FluxLink磁感双向通信技术引入1200 V和1700 V驱动器应用的产品。

FluxLink技术可省去寿命相对较短的光电器件和相关补偿电路，从而增强系统运行的可靠性，同时降低系统的复杂度先进的系统安全和保护功能（常用于中压和高压应用）可增强产品可靠性创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，可确保实现更大的工作电压裕量和更高的系统可靠性碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器IC可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级，经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100认证汽车应用SCALE-iDriver IC可在125°C结温下提供8A驱动，并且可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计

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快乐的小天使
LV.7
2
2021-11-23 09:43

可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5 mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，以及如何提高可靠性的呢，爬电距离短会有哪些危害嗯

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眼睛里的海
LV.9
3
2021-12-08 21:03
@快乐的小天使
可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，以及如何提高可靠性的呢，爬电距离短会有哪些危害嗯

 爬电距离过小电路抗干扰能力差，对于强电电路，以220V市电电路为例，一般要求爬电距离在5mm以上，才能满足耐压达到4kV.

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不可说
LV.5
4
2021-12-23 13:54
@快乐的小天使
可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，以及如何提高可靠性的呢，爬电距离短会有哪些危害嗯

在安规上要求一次侧和二次侧的爬电距离和电气间距，这个看执行的是EN的哪个标准。通常可以根据电压估算出来爬电距离，楼下说的对也不完全对，300VAC爬电距离留5mm就够了，220V的爬电距离就更小一些

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听听1234
LV.2
5
2022-01-25 16:54

可以把驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT的原理以及应用重点梳理一下

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cmdz002
LV.5
6
2022-04-23 10:28

可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆变器设计，难得的设计方案

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tanb006
LV.10
7
2022-06-23 23:29
@快乐的小天使
可以帮忙解释下创新的eSOP封装具有9.5mm爬电距离，并且相对漏电起痕指数(CTI)为600，以及如何提高可靠性的呢，爬电距离短会有哪些危害嗯

这芯片是针对车规级使用的。在汽车的使用环境中，灰尘是一个天敌。

因此要能保证在户外潮湿、多灰尘、高低温的情况下保持安全距离，肯定是比室内用途的电器要求更苛刻才行。

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tanb006
LV.10
8
2022-11-25 22:56

有没有使能互锁功能？多个同时使用的情况下实现一个失效、其他互锁？

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