• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

2SC0115T模块驱动时弥勒电容的影响?

    2SC0115T适用于90 kW-500 kW逆变器的最小IGBT门极驱动器,采用的是SCALE-2+技术,适用于1200 V IGBT驱动器的电气绝缘方案,高级有源钳位或SSD功能,IGBT关断时,弥勒电容会向S栅极放电,如果这个电流不有效泄放掉的话,可能再次将IGBT打开,这很危险,PI的这类IGBT门极驱动器有没有什么方法避免或者改善?

全部回复(35)
正序查看
倒序查看
2021-05-11 11:14

密勒电容可以使得器件或者电路的等效输入电容增大,很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。

0
回复
2021-05-11 11:15

对于MOSFET的共源-共栅组态,则既提高了增益,等于两级增益的乘积,共源组态起主要作用。

0
回复
gxg1122
LV.10
4
2021-05-11 18:33

单电源驱动器IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题,常见的在0到15V类型的门极驱动器,

0
回复
gxg1122
LV.10
5
2021-05-11 18:34
@奋斗的青春
密勒电容可以使得器件或者电路的等效输入电容增大,很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。

防止出现寄生IGBT通道的情况发生,配置添加门极和发射极之间的电容,或者通过使用负门极驱动

0
回复
2021-05-11 19:15
@奋斗的青春
密勒电容可以使得器件或者电路的等效输入电容增大,很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。

可以用一个晶体管放在门极—发射极之间,缩短门极—发射极的路径

0
回复
dbg_ux
LV.9
7
2021-05-11 21:56

IGBT模块的米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著,比较常见于门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间。

0
回复
2021-05-11 21:58
@奋斗的青春
密勒电容可以使得器件或者电路的等效输入电容增大,很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。

要避免密勒电容带来的影响,可以在驱动或者模组添加门极和发射极之间的电容,但是容易造成效率的降低

0
回复
trllgh
LV.9
9
2021-05-11 22:01
@dbg_ux
IGBT模块的米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著,比较常见于门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间。

高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,门集电压尖峰,从而可能导致过电压失效 ,栅极过压等

0
回复
kckcll
LV.9
10
2021-05-11 22:03
@大海的儿子
要避免密勒电容带来的影响,可以在驱动或者模组添加门极和发射极之间的电容,但是容易造成效率的降低

另外还可以使用负门极驱动,但是驱动的成本比较高。

0
回复
cb_mmb
LV.8
11
2021-05-11 22:06
@trllgh
高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,门集电压尖峰,从而可能导致过电压失效,栅极过压等

尖峰是开关快速导通关断形成的过冲,几乎不可避免,所以通常都会加Snubber电路

0
回复
k6666
LV.9
12
2021-05-12 09:40
@大海的儿子
要避免密勒电容带来的影响,可以在驱动或者模组添加门极和发射极之间的电容,但是容易造成效率的降低

一般可以增加个晶体管,降低损耗,提高电源的效率。解决方法通用。

0
回复
k6666
LV.9
13
2021-05-12 09:42
@trllgh
高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,门集电压尖峰,从而可能导致过电压失效,栅极过压等

dv/dt的值太大,电源主控芯片要求比较高。IGBT的寄生电容会变大吗

0
回复
fengxbj
LV.8
14
2021-05-14 16:29
@gxg1122
防止出现寄生IGBT通道的情况发生,配置添加门极和发射极之间的电容,或者通过使用负门极驱动

在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS间电压会经过一段不变值的过程,过后GS间电压又开始上升直至完全导通

0
回复
2021-05-14 16:32
@gxg1122
防止出现寄生IGBT通道的情况发生,配置添加门极和发射极之间的电容,或者通过使用负门极驱动

由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电。

0
回复
2021-05-14 16:33
@trllgh
高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,门集电压尖峰,从而可能导致过电压失效,栅极过压等

米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合。

0
回复
2021-05-14 16:34
@大海的儿子
要避免密勒电容带来的影响,可以在驱动或者模组添加门极和发射极之间的电容,但是容易造成效率的降低

米勒效应是无法避免的,择合适的门极驱动电阻RG,在门极G和射极E之间增加电容,采用负压驱动

0
回复
2021-05-15 18:18

适用于90 kW-500 kW的单通道IGBT和MOSFET门极驱动器。

0
回复
2021-05-17 16:57

2SC0115T主要适用于DC/DC电源和开关信号传输的隔离式变压器技术。没有光耦。

0
回复
trllgh
LV.9
20
2021-05-17 17:33
@大海的儿子
2SC0115T主要适用于DC/DC电源和开关信号传输的隔离式变压器技术。没有光耦。

模块没采用光耦器,因此可提高模块的可靠性及寿命,增强电气隔离性能等。

0
回复
黑夜公爵
LV.10
21
2022-02-13 21:43
@gxg1122
单电源驱动器IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题,常见的在0到15V类型的门极驱动器,

如果连接到源极引脚则开关频率为132kHz,连接到控制引脚则开关频率为66kHz

0
回复
黑夜公爵
LV.10
22
2022-02-13 21:44
@尘埃中的一粒沙
可以用一个晶体管放在门极—发射极之间,缩短门极—发射极的路径

高压大容量直流电容位于桥式整流器之后或者通过一组二极管连接桥式二极管的AC侧

0
回复
黑夜公爵
LV.10
23
2022-02-13 21:45
@kckcll
另外还可以使用负门极驱动,但是驱动的成本比较高。

输出二极管并联的RC用于抑制电压尖峰,同时也对辐射有抑制

0
回复
黑夜公爵
LV.10
24
2022-02-13 21:47
@fengxbj
在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS间电压会经过一段不变值的过程,过后GS间电压又开始上升直至完全导通

靠原边软驱动来降低副边二极管的di/dt,从而降低尖峰,是最容易操作的,最直接有效的

0
回复
黑夜公爵
LV.10
25
2022-02-13 21:49
@尘埃中的一粒沙
米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合。

关断开关管通过二极管快速关断,故不改变关断状态,所以减少了尖峰,也减少了损耗

0
回复
opingss88
LV.9
26
2022-02-13 21:50
@奋斗的青春
密勒电容可以使得器件或者电路的等效输入电容增大,很小的密勒电容即可造成器件或者电路的频率特性大大降低。

与二极管本身的结电容以及PCB的寄生参数有关,结电容与漏感的大小决定了震荡的频率

0
回复
opingss88
LV.9
27
2022-02-13 21:53
@gxg1122
防止出现寄生IGBT通道的情况发生,配置添加门极和发射极之间的电容,或者通过使用负门极驱动

控制开关管的工作频率或脉宽可以控制输出电压,一般用于降压电路

0
回复
opingss88
LV.9
28
2022-02-13 21:54
@trllgh
高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通,门集电压尖峰,从而可能导致过电压失效,栅极过压等

非隔离电源输入和输出之间有直接的电流回路,输入和输出之间是共地的

0
回复
opingss88
LV.9
29
2022-02-13 21:56
@cb_mmb
尖峰是开关快速导通关断形成的过冲,几乎不可避免,所以通常都会加Snubber电路

由于低频滤波电容高频特性不好,它在高频充放电时内阻较大,等效电感较高

0
回复
opingss88
LV.9
30
2022-02-13 21:59
@尘埃中的一粒沙
由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电。

控制器具有一个低带宽、高增益跨导误差放大器,反相端连接到3.8V的内部电压参考

0
回复
tmpeger
LV.10
31
2022-02-13 22:00
@gxg1122
单电源驱动器IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题,常见的在0到15V类型的门极驱动器,

电流输入到旁路引脚时,器件立即停止开关并进入自动重启动

0
回复