10A、600V低电荷、高压的N沟道高压功率MOS场效应管型号有哪些？在设计电路的时候会考虑到不同场效应管的参数特征在电路中的使用，这是电子工程师的基本素质。就飞虹电子而言，在MOS管型来讲，都是以专业的参数角度进行分析。
那么对于产品的专业参数，我们除了关注漏-源电压、漏极直流电流、最大脉冲漏极电流、栅-源电压、雪崩电流等等方面的参数外，重点要关注什么呢？ 今天要科普的是一款10A、600V的低电荷、高压MOS管，10N60型号参数。
首先我们可以来看看这一款10A、600VMOS管10N60在实际的电路应用中适用于什么样的场景呢？
它作为一款N沟道增强型高压功率MOS场效应管，以其10A、600V的特性，电子工程师一般会用于高压H桥PMW马达驱动、AC-DC开关电源、DC-DC马达驱动，当然还可用于更多场景，需要看工程师的产品设计需求。
目前这一款10A、600V低电荷、高电压的MOS管是能够匹配：FQP10N60、TK10A60D这两款型号来代换使用的。
FHP10N60的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263，脚位排列位GDS。这款10N60场效应管产品具体参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10；BVdss（V）：600。RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@V GS =10V，低电荷、低反向传输电容开关速度快。
若要介绍一款10A低电荷、600V高电压MOS管的话，优先推荐纯国产的10N60型号来应用于电路中使用。
飞虹电子为广大电子工程是提供专业的MOS管产品提供服务，秉承着科技领先，勇于创新，贴近客户需求的理念为国内以及全球电子厂商服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
