此前做电机控制实验，其中H桥的驱动电路原理图如图1所示。
由于DSP的Epwm模块产生的输出电压只有3.3V，而开关管采用的是IRF540N，其开通电压需要达到十几伏特，无法直接驱动开关管。本文采用东芝的TLP250驱动芯片。其芯片的输入侧采用光耦隔离的设计，提高了驱动信号的安全性和抗干扰性。输出侧的两个三极管互补导通，即光耦输入导通时，输出上三极管导通，输出下三极管关断；输入侧关断时，输出上三极管关断，输出下三极管关断。TLP250具有输出电流小，能耗低等特点常用于IGBT或功率MOSFET的驱动电路中。
在TLP250应用的驱动电路中，常采用自举电路的方式实现上桥臂MOSFET的浮地驱动。采用自举方式既可以简化上桥臂的驱动电路，也可减少隔离电源的使用，这常应用在中小功率驱动设计方案中。
图中二极管D1和电解电容C6构成了该驱动电路的自举电路。其中GND-T是上下桥臂的交点，即下桥臂MOSFET的漏极，而GND为下桥臂MOSFET的源极。当U1的输入为低电平时，PWM U_T和GND_T均为低电平，此时+15V通过二极管对电解电容充电；当U1的输入为高电平，GND_T点电位被抬高到30V左右，PWM U_T和GND_T之间有电容，两端电压不突变，所以C6的上边那端就充当了电源的效果，这就起到了自举的作用。
驱动电路如图1
以下公式详细说明了自举电容提供的最小电荷应为：
其中: Qg为场效应管的栅极电荷；f为工作频率；
Iqbs(max)为驱动电路的静态电流；ICbs(leak)为自举电容的漏电流；
Qls为每个周期内，电平转换电路中的电荷要求: 500V/600V IC 为5nc 1200V IC为20nc
自举电容必须有能力提供这些电荷，并保持其电压，否则栅源电压之间将会产生大量纹波，还可能会低于栅源之间的欠压值，使驱动无输出。因此，自举电容Cbs的电荷应为最小值的二倍，则得到最小电容容值为：
其中：VD为自举二极管正向压降值；VLs为负载压降值。
在功率MOSFET导通时，自举二极管必须能够阻止自举电容向电源Vcc回馈电荷，应选择快恢复二极管，且二极管的额定电流值ID=Qbs*f。
最后确定工作频率10Khz时，自举电容选的直插式电解电容47μF。
如图2电压检测原理图是由四个运算放大电路和一个高线性光耦HCNR201组成。HCNR201可用于隔离模拟信号具有0.01%低非线性、低成本和良好的稳定性应用在许多场合当中。
首先将电压信号输入到同相相加运算电路，将输出结果输入到反相积分电路，然后通过高线性光耦HCNR201，最后输出到V_VS_OUT。其中Vol是经过Va、Vb、Vc或者直流电压Udc输入的差分放大电路输出的，以Va、Vb为例可得输出方程为：
因R9=R10=470KΩ，R11=R15=10KΩ，所以Vol=（Vb-Va）/47
而Volt_Bump为直流偏置电压，其值为+5V的分压部分，大小为1.67V左右。
当直流侧输入电压0-47V时，电压采样输出为1.67V~2.67V;当交流侧输入电压-47V~47V时，电压采样输出为0.67V~2.67V。
图2 电压检测原理图
如图3为电流检测原理图，其中电流采样为高性能霍尔元件ACS712TELC-20A，可实时检测到电机定子电流，和直流电流。ACS712TELC-20A是目前Allegro芯片中典型元件，具有80KHZ带宽，总输出误差为1.5％、体积小、价格低等优势目广泛应用于变频器，伺服驱动，控制器等多个工控领域。
电流首先经过高性能霍尔元件ACS712TELC-20A，输出后经过OP27G光耦隔离组成的差分放大电路，最后经过低通滤波电路得到C VS_OUT输入到DSP中。
根据采样芯片ACS712TELC-20A采样电流和输出电压的关系为：
I_SAMPLE= -0.1×I+2.5
对OP27G组成的差分放大电路进行“虚短和虚断”计算，可得
因为R1=12KΩ，R2=5.1KΩ，R4=47KΩ，R5=39KΩ代入上式得
当直流侧电流的0~5.45A，此时C_VS_OUT的范围为1.72V~3V；交流侧电流的正常范围为-5.45A~5.45A，此时C_VS_OUT的范围为0~3V。
图3为电流检测原理图
与其余器件构成低通滤波器，采样电阻精度可达千分之五。DSP的AD芯片是12位精度，故电流整体采样精度可达0.5244%，进而为后期运算保证了检测精度。
动态过程由系统的带宽所决定，硬件采样电压、电流前经过了低通滤波器（截止频率3000Hz）,经过滤波后的电压电流动态响应迅速，但谐波量对于瞬时无功的计算仍有影响，经过对闭环伯德图的分析，设置算法的控制带宽最终为600Hz左右，保定了动态过程。
