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关于单片机推大电流MOS时，MOS管DS击穿问题。
阅读： 180 |  回复： 5 楼层直达

六2021/03/21 11:25:22
1
wxflpk
wxflpk 积分：2
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最近做了一款低压电源，采用单片机推MOS管，单片输出5V直流PWM信号控MOS。但在空载时，好像容易坏MOS，满载不坏。MOS采用HY1904D，电源输入12或24VDC。

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五2021/03/21 11:29:20
2
wxflpk
wxflpk 积分：2
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MOS管采用HY1904.淘宝买的，会不会是买到假货？

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四2021/03/22 13:30:22
3
441654178
441654178
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营长

华强北的物料您也信，

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三2021/03/22 19:48:10
4
BEYOND1993
BEYOND1993 积分：7
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5V推NMOS，电压不够吧，没看懂原理图。
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二2021/03/22 21:32:23
5
zhenxiang
zhenxiang 积分：17
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LV10
司令
主要是驱动电流要够。看下接上MOS后的G级波形上升下降沿和驱动的幅值。
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一2021/03/23 08:52:28
6
wxflpk
wxflpk 积分：2
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LV3
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低压MOS够了，低压MOS开启电压才3V。确定了是MOS管问题，换了家就好了
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