您好, 登录| 注册|
子站:
论坛首页    电源技术综合区
  •  发帖
  • 收藏

关于单片机推大电流MOS时,MOS管DS击穿问题。
阅读: 180 |  回复: 5 楼层直达

2021/03/21 11:25:22
1
wxflpk
电源币:0 | 积分:2 主题帖:6 | 回复帖:6
LV3
排长

最近做了一款低压电源,采用单片机推MOS管,单片输出5V直流PWM信号控MOS。但在空载时,好像容易坏MOS,满载不坏。MOS采用HY1904D,电源输入12或24VDC。

2021/03/21 11:29:20
2
wxflpk
电源币:0 | 积分:2 主题帖:6 | 回复帖:6
LV3
排长

MOS管采用HY1904.淘宝买的,会不会是买到假货?

2021/03/22 13:30:22
3
441654178
电源币:27 | 积分:0 主题帖:13 | 回复帖:156
LV5
营长

华强北的物料您也信,

2021/03/22 19:48:10
4
BEYOND1993
电源币:0 | 积分:7 主题帖:12 | 回复帖:31
LV3
排长
5V推NMOS,电压不够吧,没看懂原理图。
2021/03/22 21:32:23
5
zhenxiang
电源币:1261 | 积分:17 主题帖:167 | 回复帖:1594
LV10
司令
主要是驱动电流要够。看下接上MOS后的G级波形上升下降沿和驱动的幅值。
2021/03/23 08:52:28
6
wxflpk
电源币:0 | 积分:2 主题帖:6 | 回复帖:6
LV3
排长
低压MOS够了,低压MOS开启电压才3V。确定了是MOS管问题,换了家就好了
客服热线
服务时间:周一至周五9:00-18:00
微信关注
免费技术研讨会
获取一手干货分享

互联网违法不良信息举报

Reporting Internet Illegal and Bad Information
editor@netbroad.com
400-003-2006