请教正激式空载功率大问题

增加漏感就好一些。变压器不要分段绕制，初级绕组一次绕完，那个平台就会好一点（或者第一段绕全段的70%~80%）。

我把电压器磁芯增加了一点气隙  平台问题果然好了   但是空载功率依然很大  有9W多   感觉空载储能电感有些热量。各位大神知道原因不？

加气隙后的波形

只要出现平台就能证明变压器复位完成了，不用管平台时间的；

同样的功率和频率，输出电压提高了一倍，如果续流电感也只增加一倍，纹波电流/输出电流的比值要大许多哦。

以上所说的都不是空载功耗大原因，变压器加气隙只会使空载功耗更大，看波形，变压器不需要加气隙。

输出电压加倍，输出储能电抗器的匝数应该加倍，即电感量乘4，不是电感量加倍，这样输出纹波就小了。输出的滤波电解电容容量减半，耐压63V。这些还都不是空载功耗大原因。

输出储能电抗器空载发热，这是个问题，要找原因。估计还有其他问题。

谢谢楼上两位大师的解答  原24V变压器初级是28T  次级是8T   100KHz   续流电感是CS330125 铁硅铝  圈数是30T  感量是120uH左右 ，48V我是将变压器次级改成了16T  电感用原磁环  圈数绕了45T  感量是270uH的样子   我是用电感两边电压X开通时间/ （1/3输出电流），感觉原24V的输出电感量有些偏大  所以我48V没久没绕那么多， 电容我都有换成63V .  现在空载的时候续流电感也有热量 ，我用原来的30T电感和45T的电感 电源的空载损耗都很大。

哦 对了整流管我也换成400V的了  原来是200V的   

输出二极管是否有RC吸收，如果有，C的容量降到原值的1/4，R阻值加倍。这可能就是功耗大的原因

还有，整流管热吗？原来200V，是不是肖特基？现在是超快，还100k频率，超快就热了？

某些人说平台出现，变压器就完成复位的，说明你还没领悟单端正激的精髓，

还说不用管时间，只能说明你没有玩熟单端正激，还没入门。

楼主上传的第一次波形，复位电压远远低于母线电压，而且复位时间过长（复位时间接近导通时间2倍），这个现象多半出现在输出电压高的场合，

输出电压低的场合，变压器本身就会存在一点漏感，就不会出现楼主这种问题。

而当输出电压高的场合，次级线圈匝数过多，耦合紧密，漏感减小，就出现搂主这样的问题，

要解决这些问题，并不是磨气隙，而是通过调整绕组的排列来改变漏感，是最经济的做法，

变压器排列举例：

1、复位绕组40T，

2、原边绕组28T

3、次级绕组

4、原边绕组12T

5、供电绕组，

一定要注意，原边绕组分两段时，并不是对半分，而是第一段的匝数占总匝数的70~80%，这样让变压器自身形成漏感。

楼主功耗大，要看输出假负载，

3845做的单端正激，加很大假负载，待机2W左右。

按水乡兄的方法调整了变压器的绕线方法  波形如下

1、比较24V和48V空载时各元器件的发热情况，就可以找到问题在哪儿了。

2、48V变压器空载温度太高，有两个可能，一是磁芯高频特性不好，空载就发热，此时磁芯温度比线圈高；二是绕组之间分布电容太大（绝缘太薄），铜线发热，此时线圈温度比磁芯高。

3、任何尺寸的鉄硅铝环都有4种磁导率，从高到低是，125、90、75、60。如下

/upload/community/2021/03/20/1616224299-48497.pdf

这某公司的规格书

说100K频率要用60和75的铁硅铝，我不知道你有没用过铁硅铝？

磁导铝125的铁硅铝，不要说100K，就是300K频率都没有问题，

100K频率对于电源来说，都是正常频率，不叫高，也不叫低。

77930-A7，磁导铝125，做单端正激200W，100K频率没有问题。

楼主第16贴的波形，还未达到最佳状态，还得继续调变压器。

楼主17帖说“48V变压器和电感空载一段时间后有34度的样子  我这边今天气温在13度”

空载温升20度，很明显，变压器和电感都有问题

电感不足0.2A电流（8W），即铜损极小，引起的温升不到1度，温升20度主要是铁损，正常情况0.2A电流的铁损也应该很小......

两位兄弟 冷静 冷静。我空我去淘宝找几个磁芯实际测试一下，到时把测试结果贴上来。今天又有测试了一下  贴几个波形出来 兄弟们看看是否正常。我感觉开关管和续流二极管的峰峰值好高啊  开关管用的900V耐压的   二极管用的400V的  从波形看两个管子耐压是不是都不够啊？以下波形是270V输入测试。

开关管DS波

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整流管波形

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续流管波形

再补一张220V输入开关管DS波形

CS330125 铁硅铝环，外径33mm，磁导率125，30匝，电感量114微亨（计算值），如果用双股1mm线径绕，24V8A输出时，估算铜损1.2W

如果磁环不变，60匝，电感量456微亨（计算值），用单股1mm线径绕，48V4A输出时，估算铜损依然是1.2W

如果磁环改为磁导率75，绕77匝，电感量450微亨，用单股1mm线径绕，48V4A输出时，估算铜损1.5W

依据以上计算，使用75磁导率的铜损会比较大，但是磁损会大大下降，电抗器总损耗明显下降。

100K频率，建议用磁导率75的环

这几个波形是什么负载状态测的？

付边16匝，原边多少匝？

一般只要求供电AC176---264V，MOS管900V就可以了。更高供电电压另当别论。