一：方案名称:碳化硅MOS/SIC模块应用方案（内阻10毫欧至80毫欧耐压650V-900V-1200V-1700V-3300V）
二：品牌名称：AST(自主研发)
三：方案概述:
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
特点
1:要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。
2:要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小，以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。
3:要求驱动器具有双路输出端口。
4:支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）
5:支持高安全隔离电压
6: 3-5V的负压关断，开启要18V-20V。
针对如上的要求，Silicon Labs Si827x容耦隔离驱动芯片可以轻松满足设计需求。
- 高达4A峰值驱动电流，-40~125度宽温度范围，通过AEC-Q100认证。
- 业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs），支持超快速开关。
- 最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p，这里需要说明一下，传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关
应用：车载DC-DC转换器，电动汽车充电,DC-AC逆变器,高压DC / DC转换器,开关电源,功率因数校正模块,电机驱动，超大功率电源
四、联系方式： 钱生QQ：641226513 电话：15919711751***** 提供方案资料和芯片测试，原厂技术支持，欢迎咨询。
