1. 产品概述
PT2041 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路，提供稳定电压给触摸感应电路使用，同时内部集成高效完善的触摸检测算法，使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设计，具有宽工作电压与低功耗的特性，可广泛地满足不同消费类应用的需求。
2. 主要特性
- 工作电压范围：2.4~5.5V
- 工作温度范围：-40~85℃
- 抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
- 待机工作电流：典型值 2uA@V DD =3V/无负载
- 按键最长响应时间：低功耗模式下约 220ms@VDD =3V
- 可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
- 输出模式选择（TOG）：同步输出或锁存（toggle）输出
- CMOS 输出（QC）有效电平选择（AHLB）：高电平或低电平输出有效
- 按键最长输出时间：16 秒（±30%）
- 上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
- HBM ESD：大于 4KV
- 封装形式：SOT23-6、DFN2*2-6L、DFN1*1-4L
1. 产品概述
PT2042 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路，提供稳定电压给触摸感应电路使用，同
时内部集成高效完善的触摸检测算法，使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设
计，具有宽工作电压与低功耗的特性，可广泛地满足不同消费类应用的需求。
2. 主要特性
- 工作电压范围：2.4~5.5V
- 工作温度范围：-40~85℃
- 抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
- 待机工作电流：典型值 2uA@VDD =3V/无负载
- 按键最长响应时间：低功耗模式下约 220ms@VDD =3V
- 可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
- 输出模式选择（TOG）：同步输出或锁存（toggle）输出
- NMOS 输出（QD）：低电平输出有效
- 按键最长输出时间：16 秒（±30%）
- 上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
- HBM ESD：大于 4KV
- 封装形式：SOT23-6、DFN2*2-6L
1. 产品概述
PT2043 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路，提供稳定电压给触摸感应电路使用，同
时内部集成高效完善的触摸检测算法，使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设
计，具有宽工作电压与低功耗的特性，可广泛地满足不同消费类应用的需求。
2. 主要特性
- 工作电压范围：2.4~5.5V
- 工作温度范围：-40~85℃
- 抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
- 待机工作电流：典型值 2uA@VDD =3V/无负载
- 按键最长响应时间：低功耗模式下约 220ms@VDD =3V
- 可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
- 输出模式选择（TOG）：同步输出或锁存（toggle）输出
- CMOS 输出（QC）有效电平选择（AHLB）：高电平或低电平输出有效
- 按键最长输出时间：无穷大
- 上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
- HBM ESD：大于 4KV
- 封装形式：SOT23-6、DFN2*2-6L
1. 产品概述
PT2021K是一款电容式触摸控制ASIC，支持1通道触摸输入，1通道同步型开关输出。具有低功耗、高抗干扰、宽工作电压范围、高穿透力的突出优势。
2. 主要特性
- 工作电压范围：2.4~5.5V
- 待机电流约9uA@VDD=5V&CMOD=10nF
- 单通道触摸输入
- 单路同步型开关输出，可引脚配置同步输出的有效电平
- 内置稳压源、上电复位和低压复位等硬件模块
- 内置实时环境自适应、高效数字滤波等软件算法
- 抗电源纹波能力强，可抵抗<0.5V的电源纹波，不影响芯片正常工作，不误动
- 抗RF干扰能力强，同类型产品中，抗对讲机等大功率RF发射设备的干扰时具有优异表现
- HBM ESD优于4KV
1. 产品概述
PT2021S是一款电容式触摸控制ASIC，支持1通道触摸输入，1通道锁存型开关输出。具有低功耗、高抗干扰、宽工作电压范围、高穿透力的突出优势。
2. 主要特性
- 工作电压范围：2.4~5.5V
- 待机电流约9uA@VDD=5V&CMOD=10nF
- 单通道触摸输入
- 单路锁存型开关输出，可引脚配置同步输出的有效电平
- 内置稳压源、上电复位和低压复位等硬件模块
- 内置实时环境自适应、高效数字滤波等软件算法
- 抗电源纹波能力强，可抵抗<0.5V的电源纹波，不影响芯片正常工作，不误动
- 抗RF干扰能力强，同类型产品中，抗对讲机等大功率RF发射设备的干扰时具有优异表现
- HBM ESD优于4KV
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