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MOSFET SPEC內 On-State Drain Current 是什麼?
阅读: 250 |  回复: 8 楼层直达

2021/01/05 09:46:25
1
阿不里89
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:2
LV3
排长

各位前輩

最近在看MOSFET SPEC時發現有一行是On-State Drain Current,不是很請清楚這是什麼?請問有知道的人可以幫忙解釋給小弟知道嗎?謝謝

标签 MOSFET
2021/01/05 11:34:35
2
dy-Pihfvr5I
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵

漏极导通电流 

因为是MOS管 在漏源导通时你也可以理解是源极导通电流

一般分析MOS管载流能力也是主要看这项参数

2021/01/05 12:11:54
3
阿不里89
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:2
LV3
排长

你好,MOS管的電流不是看ID嗎?

請問兩者的區別是什麼?謝謝

2021/01/05 15:40:50
4
dy-Pihfvr5I
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵

刚刚没说清楚 MOS管有id(on) id和idm 这三个分别是导通漏极电流 连续漏电流和最大漏电流 

id(on)就是你今天问的 on-state drain current 这个是有条件的 VGS=10V VDS=7.5V 你可以认为是这个状态下的id 只会给一个下限

因为MOS管漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs都有关系 比如 N沟道增强型MOS管 当Vgs一定时,vds增大id一般也会增大 具体参考曲线图

Id就是MOS管的连续漏极电流 一般满足手册上的VGS然后和温度呈现非线性关系 idm就是最大的脉冲电流 

所以你参考MOS管的载流能力的时候 都会考虑id(on) id和idm 

2021/01/05 18:15:43
5
阿不里89
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:2
LV3
排长
謝謝您的解釋,但為何id(on)電流會大於idm的電流?idm不就是最大了嗎?
2021/01/07 09:09:20
6
dy-Pihfvr5I
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵
没有啊 idm一般都是最大的 你仔细看看你的datasheet 我不知道你的芯片型号所以不知道你的idm是多大 
2021/01/08 13:28:05
7
阿不里89
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:2
LV3
排长

/upload/community/2021/01/08/1610083513-38962.pdf

您好,規格書如附件,您可以再幫忙解釋說明一下嗎?謝謝

2021/01/12 15:25:58
9
dy-Pihfvr5I
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵
你的PDF手册上并没有Pulsed Drain Current,也就是idm这项参数 我看了pdf 请参照figure.1来计算载流能力 例如:导通之后的电压是5V,使用TTL控制的话,载流能力就是在1.5A左右。如果要考虑温度,TEMPERATURE FIGURE也得仔细参考。极限情况下你也可以通过Rds(ON)来反推MOS管的工作情况。最后,除了id(on)和id,figure也是MOS管很重要的描述,看pdf的时候可以多加了解。
2021/01/10 16:05:13
8
阿不里89
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:2
LV3
排长
都沒有人能夠做解釋及說明嗎?
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