PL5501升降压芯片，芯片搭配外置 MOS 管，已实测能够实现最大 200W 升降压变换控制
PL5501一颗同步四开关单向升降压控制器完美搭配外挂MOS已实测功率达到200W
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MOS一般特征
◆Vps =40V lp =60A
RDs(oN)(Typ.)= 5.9mQ @V Gs=10V
Ros(oN)(Typ.)= 8.9mQ @VGs=4.5V
极低导通电阻RDS
(on)150°C工作温度
◆100%UIS测试100%用户界面测试!I00%AVds测试!
MOS 采用SGT技术，该技术经过独特优化，
可提供最高效的高频开关性能。两种传导频率切换
性能。由于RDS（ON）和Qg的组合极低，传导和开
关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步
联系人：秦女士
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