為何逆變器前級大多用推挽？而極少人用全橋？

1全桥的上管驱动比较麻烦，没有推挽驱动方便简单，推挽是低成本的首先。2，逆变器输入端一般是低压大电流，推挽的电流可以分两路进入变压器，减少线路压力，另外每半周电流只通过一次MOS管产生功耗。而全桥电流要通过两次MOS管（对角的上下管），全桥要达到和推挽一样的场管导通损耗的话，要选和内阻低一倍的场管。一般超过60V以上输入电压，推挽方式就没有什么优势了，而会选择全桥方式。

全橋較復雜是肯定的，上管驱动可用如：IR2104、2110價格1圓左右，增加场管损耗是沒錯但同時減少了高頻變壓的损耗（全橋等于兩組線圈并聯，也就是線阻為推挽1/4），推挽RC吸收也得损耗(我指的是閉環)。比如https://www.dianyuan.com/bbs/2493090.html很容易生成正弦波，推挽肯定很難，特別是空載時（不過我沒有實測）。

1.IR2104，2110这种自举方式的驱动能力有限，大功率的逆变器，通常是多管并联，这种驱动芯片驱动能力达不到要求，只能考虑用变压器驱动，或加图腾柱和独立供电驱动。

2，关于变压器线圈损耗：何以“兩組線圈并聯，也就是線阻為推挽1/4”？ 我认为，只要变压窗口尺寸一样，那么能绕的铜线就应该一样多，不存在损耗多和少问题，全桥输入只一需一组线圈，推挽需要两组或叫中间抽头，换句话说，全桥用10条线并绕10圈，那么推挽就能绕两个5条线并绕10圈的线圈两个。推挽看似截面积少了一倍，但它是是两线圈是轮流工作的，有一半时间是在休息，平均各自只承担整机的一半电流，而全桥正负半周电流都要经过。承担全部电流。全桥在变压器损耗并没优势，优势在于工艺比推挽简单，没有推挽那种不对称问题.

3.我在做推挽时，从来不用RC吸收，虽然说正规的产品都有，但我认为作用甚微，治标不治本，尖峰的根本解决办法要从布线，变压器工艺，和调试方面去着手。用准谐振方式可以完全避免工作时的尖峰。48V/3000W前级效率可达96-98，如果不计输出整流损耗，会更高

1.可以加大自舉電容及增加PNP/NPN組合增加驅動能力。

2.推挽須要兩組線圈，全橋只要一組，因此全橋可將兩組并聯得到更小的內阻而不增加體積。就算同時通過同一組（內阻更小的線圈），損耗肯定更小（為1/2,不是1/4）。因為推挽5圈全橋也是5圈為何要10圈。

3.你从来不用RC吸收正明你做的是開環。我講過開環推挽，你別講你閉環也不用RC吸收，你要實驗過再講。

4.還有你要注意是開環還是閉環，有些地方差不多有些地完全不同。比如：方波工頻逆變很多用推挽，可正弦波用推挽比4條腳的雞都難找，因它跟本做不出或很難做出來。<<<“開環”類似于“方波”（占空比接近100%）、“閉環”類似于“正弦波”（占空比不停的變化），所以“閉環”時全橋能做的推挽不一定能行>>>

我的意思是你先確定你講的是“閉環”，如果是“開環”就沒什么好談的了。

5.你要先看我提出的問題，低成本我不反對用推挽（開環用推挽），你這准谐振方式用閉環了嗎？閉環占空比是不停變化的，你是如何把開關點放到過零點上的，如果不能這准谐振方式有何用？

首先我对于设计磁性元器件方面经验甚少，还在学习阶段。对于你说的设计全桥变压器时，相比于推挽来说，我觉得线圈应该是要10圈并联吧，因为全桥只有一组线圈，要承受全部功率，即电流也大一倍，所以并联圈数大一倍不是正常的吗？

对于损耗而已，公式是W=I*I*R，虽然说全桥的内阻是1/4，但是电流大了一倍，所以损耗总体来说应该差不多吧。

还有请教下，DC-AC的电路来说，开环和闭环的涵义是什么啊？ 你说的闭环是指逆变输出电压一直在高频调制，开环只是在低频调制吗？

按理说IR2110驱动2并联 8管跑100A还是可以的