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利用SC1702芯片设计的快充电源

SC1702C是PI的快充主控芯片,内置反激式控制器、初级开关管,以及次级测检测和同步整流控制器,内置带HIPOT隔离保护的集成反馈链路,集成度非常高。内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 18W 以内的方案。 在 PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时,工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。

SC1702设计的快充电源,输入电压范围较宽,满足全球设计需求,支持50HZ/60HZ的工作频率,电源输出通过协议转换实现不同设备负载的供电需求,电源设计最大功率可以到20W,整体电路设计小而且薄,产品体积缩小不少。

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k6666
LV.9
2
2020-11-03 21:49
电源设计快充需要搭配协议转换芯片的,PI的协议转换芯片就有很多,比如CHY103、CHY102的。
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k6666
LV.9
3
2020-11-03 21:57
@k6666
电源设计快充需要搭配协议转换芯片的,PI的协议转换芯片就有很多,比如CHY103、CHY102的。
电源主控芯片得独特封装可以利于散热,输出端通过溜锡提高产品的过流能力及降温。
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fengxbj
LV.8
4
2020-11-03 22:27
@k6666
电源主控芯片得独特封装可以利于散热,输出端通过溜锡提高产品的过流能力及降温。
芯片内置高压MOSFET,满足大部分的电源AC输入,起到充足的保护功能。
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fengxbj
LV.8
5
2020-11-03 22:31
@fengxbj
芯片内置高压MOSFET,满足大部分的电源AC输入,起到充足的保护功能。
在连续导通模式下,功率MOSFET会在次级侧向初级侧请求新开关周期之前关断。在非连续导通模式下,功率MOSFET会在MOSFET两端的压降低于某一阈值时关断。
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svs101
LV.8
6
2020-11-03 22:35
@k6666
电源设计快充需要搭配协议转换芯片的,PI的协议转换芯片就有很多,比如CHY103、CHY102的。
主控电源芯片是没有这个转换功能的,是需要独立的协议转换芯片实现的,一般设计的独立的协议转换板
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svs101
LV.8
7
2020-11-03 22:39
现在新出电源芯片可以支持更大功率的方案,电源输出CV/CC精度高。
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紫蝶
LV.9
8
2020-11-04 15:39
@fengxbj
在连续导通模式下,功率MOSFET会在次级侧向初级侧请求新开关周期之前关断。在非连续导通模式下,功率MOSFET会在MOSFET两端的压降低于某一阈值时关断。
电源芯片输出管脚部分可以大面积铺铜,利于散热和过流能力提升。
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紫蝶
LV.9
9
2020-11-04 15:40
@svs101
主控电源芯片是没有这个转换功能的,是需要独立的协议转换芯片实现的,一般设计的独立的协议转换板
协议转换芯片的种类比较多,有chy103,sd1603等,都是pi的。
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gxg1122
LV.10
10
2020-11-04 17:37
@紫蝶
电源芯片输出管脚部分可以大面积铺铜,利于散热和过流能力提升。
是可以这样设计的,这样可以有效降低温升,同时结合散热片进行降温。
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gxg1122
LV.10
11
2020-11-04 17:39
@k6666
电源主控芯片得独特封装可以利于散热,输出端通过溜锡提高产品的过流能力及降温。
这个封装好像就pi的I nnoswitch系列的芯片是这样的,封装利于散热。
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k6666
LV.9
12
2020-11-04 17:51
@紫蝶
协议转换芯片的种类比较多,有chy103,sd1603等,都是pi的。
快充协议芯片最好选择认证的,不然有问题不好找,现在普遍都qc3.0标准。
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gxg1122
LV.10
13
2020-11-07 21:56
@fengxbj
芯片内置高压MOSFET,满足大部分的电源AC输入,起到充足的保护功能。
芯片集成高压MOSFET,耐压额度是足够的。该芯片搭配协议转换芯片就可以。
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gxg1122
LV.10
14
2020-11-07 21:57
@k6666
快充协议芯片最好选择认证的,不然有问题不好找,现在普遍都qc3.0标准。
一般的QC3.0标准协议即可,支持大部分的设备充电需求。一般都是认证过的。
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k6666
LV.9
15
2020-11-07 22:02
@gxg1122
芯片集成高压MOSFET,耐压额度是足够的。该芯片搭配协议转换芯片就可以。
主控芯片内部集成频率抖动技术,可以提供电源的效率,同时利于产品的EMI改善。
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k6666
LV.9
16
2020-11-07 22:05
看PCB设计底部有铺铜散热,进一步降低温升。这样设计出来降低散热工艺的难度。
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