NMOS浮地驱动关断异常

驱动方式不对，应该用自举驱动方式，或者把NMOS放在负极做低边开关。

我给MOS驱动IC供电的电源是12V的，这个12V是用另一个隔离电源模块供电，然后这个12V的低电平端和NMOS的S端相连，这样驱动浮地的NMOS也不可以吗？

可是如果不可以的话为啥图三会出现可以开关MOS的波形呢？

这是和高压部分相关的电路图

图五 隔离电源模块

图六 单片机信号及隔离电路

图七 逆变升压电路

快速关断应该是要加放电管的。

您好，请问您加的是一个反相器吗？作用是什么呢？还有您说的放电管该怎么加呀？现在的情况是我把之前漏画的网络补上（如下图1），GS端波形已经是个矩形波，就是下图（下图2）中的紫色波形，但是S端对其参考地电压受负载影响很大。

有其他大侠说这是因为MOS管在DS间有个电容Coss，断开时要通过负载电阻给该电容充电，电阻大的话充电慢，然后S端对地波形也就变化慢，您看是这个原因吗？如果是这个原因除了减小电阻值还有其他方法吗？比如您说的加放电管该怎么加呀？再次感谢您！

不好意思没仔细看贴，采用这种浮地驱动放电管还需要采用光耦隔离(或其它隔离器件)，图中有画放电管的位置另一个器件是反相器。

另外这是空载测量吗？实际使用时带上负载关断速度就快了。

您好，PWM3在输入前是经过一个IIC的通信隔离芯片隔离过的，如下图，这样应该算是隔离了吧？

您说的放电管我还没弄明白是怎么弄，您能再说一下吗？

另外那个图不是空载测的，而是接了一个10K欧的电阻。

大概就是上图这个样子。

大侠，我理一下这图放电管的工作顺序，请您看看对不对。

当绿色的两个引脚有压差时，蓝色的MOS导通，光耦断开，红色的MOS断开，此时电路向负载供电；当绿色的两个引脚没有压差时，蓝色的MOS断开，光耦导通，此时红色的MOS的GS端有压差，红色MOS导通，加快蓝色MOS的S端的对地电压变化。

也就是说放电管实际上是使得蓝色MOS断开后S端与地形成一个低阻的通路，而蓝色MOS导通时则使得该低阻通路不再存在，是这样吗？

估计你是想要的是一个输出40V- 450V可调的脉冲方波，利用初级的开关就可以同时实现升压和脉冲输出的。

看看这样的电路满足你的需求不？前级调压采用buck-boot电路效率会高些。

谢谢大侠，输出的方波脉冲时间希望可以在几十us到几十甚至几百ms间可调，这样做的话能提供这么长时间的脉冲吗？

然后我还有一点疑问，就是我现在也是变压器和NMOS串联，变压器是一个单绕组输入双绕组输出的变压器（变压器原理图中还未修改为双绕组），但是输出只用了一个绕组，可是以40kHz的频率控制NMOS的开关后，变压器的输入和输出都是正弦波而不是方波（图2中紫色为GS波形，黄色为变压器输出波形），这可能是什么原因呢？可能是因为NMOS导通时的电阻大（2欧）吗？还是变压器（40kHz的1V电压下初级电感测试为40uH）有问题呢？

脉冲时间长变压器个头可能要大一些，还可以采用交错的方式既两个变压器、两个MOS管，通过交错时序控制恒压输出都可以实现。

这个正弦波可能是漏感跟前面C1、C7两颗电容谐振造成的，用1/(2*pi*√L*C)估算一下大概在40-50kHz附近。

这样啊，谢谢您！可是目前按照目前的方案做了一部分，想试着小改一下，再次改版会尝试您说的电路结构。

然后变压器正弦波的图中没有C1呀。C7连的是MOS的GS，这样和变压器原边有回路吗？如果像您说的那样，解决方案是减小漏感和去掉C7吗？

电路的确是之前的电路没改，但是我也在R2000之后的电阻端测过，只有一个极性是有电压的，然后焊上了电解电容，如果是二极管的问题的话，我次级那两个电解电容不会炸吗？