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用INN3268设计42W恒压恒流恒功率输出电源

    Innoswitch3-cp可在省去不可靠的光耦器的前提下同时对初级和次级MOSFET进行精确开关控制。这种拓扑结构提供了高效的同步整流,同时不会在动态负载或输入浪涌期间造成初次级开关管同时导通,发生击穿的风险,从而提高产品可靠性。该技术还具有出色的交叉调整率,通常可省去多路输出设计中的DC-DC转换器电路,进一步提高电源子系统的效率并降低系统成本。

     电源用INN3268设计,输入电源90~265VAC,24V/1.75A、42W持续输出,额定点(输入电压115VAC~230VAC)时效率大于91%,空载损耗小于70mW,具备短路、过压和过热保护等功能,能够设计隔离反激式拓扑结构,实现恒压恒流恒功率输出。

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k6666
LV.9
2
2020-11-01 19:55
比较高效率的AC/DC设计方案,电源的体积还可以在缩小点的
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dbg_ux
LV.9
3
2020-11-02 16:35
@k6666
比较高效率的AC/DC设计方案,电源的体积还可以在缩小点的
INN3268设计隔离反激式开关电源,能够实现恒压恒流恒功率输出。
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kckcll
LV.9
4
2020-11-02 16:46
InnoSwitch3-CP的IC的次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并提供驱动给同步整流MOS。
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spowergg
LV.9
5
2020-11-02 16:50
在恒流(CC)工作期间,当输出电压降低时,INN3268器件将直接从次级绕组直接供电。
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lx25hb
LV.8
6
2020-11-02 17:13
@dbg_ux
INN3268设计隔离反激式开关电源,能够实现恒压恒流恒功率输出。
 有偏置时空载损耗低于10mW,发热少,效率高。它的绝缘性能好,隔离电压高达交流3500V  
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uf_1269
LV.8
7
2020-11-02 17:18
@kckcll
InnoSwitch3-CP的IC的次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并提供驱动给同步整流MOS。
变压器次的级侧输出通过低阻态的MOS管进行整流,在低压大电流场合可以提高效率3-5个点。
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cb_mmb
LV.8
8
2020-11-02 17:25
@spowergg
在恒流(CC)工作期间,当输出电压降低时,INN3268器件将直接从次级绕组直接供电。
低于恒流阈值时,器件在恒压模式下工作,INN3268具备恒压恒流特性,非常适合用来设计充电器。
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gxg1122
LV.10
9
2020-11-02 19:27
@kckcll
InnoSwitch3-CP的IC的次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并提供驱动给同步整流MOS。
这个系列的快充电源设计需要搭配快充协议芯片,实现QC3.0标准。
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svs101
LV.8
10
2020-11-02 19:40
@spowergg
在恒流(CC)工作期间,当输出电压降低时,INN3268器件将直接从次级绕组直接供电。
这个芯片设计的电源恒流CC精度可以到多少了?CV模式的精度了?
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svs101
LV.8
11
2020-11-02 19:42
@lx25hb
 有偏置时空载损耗低于10mW,发热少,效率高。它的绝缘性能好,隔离电压高达交流3500V  
如果待机空载功耗到10mW,基本可以忽略了,功耗很低,相应的效率也就高了。
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2020-11-02 19:58
@kckcll
InnoSwitch3-CP的IC的次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并提供驱动给同步整流MOS。
这个快充设计电源可以给笔记本供电吗?现在有的设计方案就兼容,采用通用的TYPE-C接口
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2020-11-02 21:29
@lx25hb
 有偏置时空载损耗低于10mW,发热少,效率高。它的绝缘性能好,隔离电压高达交流3500V  
电源的设计采用PI的innoswwich的芯片设计的功都大,恒流精度高,
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2020-11-02 21:30
@uf_1269
变压器次的级侧输出通过低阻态的MOS管进行整流,在低压大电流场合可以提高效率3-5个点。
低压输出的方案要做到高效率大功率的输出,同步整流技术是需要的。
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紫蝶
LV.9
15
2020-11-02 21:39
@cb_mmb
低于恒流阈值时,器件在恒压模式下工作,INN3268具备恒压恒流特性,非常适合用来设计充电器。
恒压恒流特性比较好,电源的设计巧妙,整体产品的质量一下提升。
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2020-11-03 11:58
@uf_1269
变压器次的级侧输出通过低阻态的MOS管进行整流,在低压大电流场合可以提高效率3-5个点。
开关期间产生的高频振铃通过RC缓冲器衰减,否则高频振铃会产生辐射EMI问题。
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trllgh
LV.9
17
2020-11-03 12:46
@dbg_ux
INN3268设计隔离反激式开关电源,能够实现恒压恒流恒功率输出。
Innoswitch3-cp满载效率高达94%,准谐振/CCM反激式控制模式,具备完善的保护功能,非常适用于各种适配器电源.
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xxbw6868
LV.9
18
2020-11-03 12:50
@uf_1269
变压器次的级侧输出通过低阻态的MOS管进行整流,在低压大电流场合可以提高效率3-5个点。
同步整流MOS管的栅极由INN3268内的次级侧控制器根据馈入IC的反馈引脚的电压进行导通控制。
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spowergg
LV.9
19
2020-11-03 13:01
@cb_mmb
低于恒流阈值时,器件在恒压模式下工作,INN3268具备恒压恒流特性,非常适合用来设计充电器。
输出电流检测通过监测InnoSwitch3-CP的IS和次级接地引脚之间电阻的电压降来完成。
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2020-11-04 16:26
@xxbw6868
同步整流MOS管的栅极由INN3268内的次级侧控制器根据馈入IC的反馈引脚的电压进行导通控制。
在连续导通模式下,FET在次级侧向初级侧请求开始新的开关周期之前即会关断。
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trllgh
LV.9
21
2020-11-04 16:36
@spowergg
输出电流检测通过监测InnoSwitch3-CP的IS和次级接地引脚之间电阻的电压降来完成。
最大ISVTH检测阈值约为35 mV以降低损耗。该阈值设置电源的最大恒流阈值。
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xxbw6868
LV.9
22
2020-11-04 16:42
@trllgh
Innoswitch3-cp满载效率高达94%,准谐振/CCM反激式控制模式,具备完善的保护功能,非常适用于各种适配器电源.
 INN3268内部集成有一个650V高压MOSFET,次级侧采用同步整流策略,采用Fluxlink隔离反馈技术,最大功率可达65W. 
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uf_1269
LV.8
23
2020-11-06 14:14
@xxbw6868
同步整流MOS管的栅极由INN3268内的次级侧控制器根据馈入IC的反馈引脚的电压进行导通控制。
当电路中的MOS的电压降低于VSR(TH)阈值时,MOS功率管将会关断。
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2020-11-07 15:07
@uf_1269
当电路中的MOS的电压降低于VSR(TH)阈值时,MOS功率管将会关断。
这样初级功率开关的次级侧控制可避免两个开关可能发生的交越导通,提供极为可靠的同步整流工作。
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trllgh
LV.9
25
2020-11-07 15:17
@xxbw6868
 INN3268内部集成有一个650V高压MOSFET,次级侧采用同步整流策略,采用Fluxlink隔离反馈技术,最大功率可达65W. 
采用变频准谐振控制器并支持CCM/CrM/DCM工作,可提高效率和扩大输出功率能力。
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opingss88
LV.10
26
2021-07-03 21:45
@svs101
如果待机空载功耗到10mW,基本可以忽略了,功耗很低,相应的效率也就高了。

通常与高欧姆电阻串联使用,其中的导通电阻在总串联电阻中只占很小的比例

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opingss88
LV.10
27
2021-07-03 21:46
@uf_1269
当电路中的MOS的电压降低于VSR(TH)阈值时,MOS功率管将会关断。

自动重启动计数器由SOA模式中的开关振荡器提供栅极控制,自动重启动关断时间可能会更长

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opingss88
LV.10
28
2021-07-03 21:47
@trllgh
采用变频准谐振控制器并支持CCM/CrM/DCM工作,可提高效率和扩大输出功率能力。

选择磁芯时要综合考虑绕线面积、磁芯截面积及磁芯表面积与体积的比例

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opingss88
LV.10
29
2021-07-03 21:48
@gxg1122
这个系列的快充电源设计需要搭配快充协议芯片,实现QC3.0标准。

在进行电子电路设计时,有时会需要对变压器空载的损耗进行计算

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opingss88
LV.10
30
2021-07-03 21:49
@spowergg
输出电流检测通过监测InnoSwitch3-CP的IS和次级接地引脚之间电阻的电压降来完成。

共模干扰幅度大,频率高,还可以通过导线产生辐射,所造成的干扰较大

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fordfiash
LV.9
31
2021-07-03 21:51
@大海的儿子
开关期间产生的高频振铃通过RC缓冲器衰减,否则高频振铃会产生辐射EMI问题。

欲削弱传导干扰,最有效的方法就是在开关电源输入和输出电路中加装电磁干扰滤波器

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