深圳市奕锋泰科技有限公司是无锡新洁能/NCE原厂代理。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT。
型号：
型号：NCEP3045GU
封装：DFN5*6
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 45A
栅源极阈值电压 : 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.8mΩ @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 35W
类型：N沟道
型号：NCEP3090GU
封装：DFN5*6
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 90A
栅源极阈值电压 : 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 2mΩ @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 70W
类型：N沟道
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