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金升阳SCM1101AMA反激方案波形异常

最近设计了一款18-35V输入，12V/0.83A输出的直流DCDC电源，芯片选用金升阳的SCM1101AMA，变压器选用其标准变压器TTURA-10T，原理图如下：

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Mr李
LV.2
2
2020-09-11 15:45
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Mr李
LV.2
3
2020-09-11 15:46
@Mr李
[图片]
在采用NCEP0112AS的情况下，采样电阻上的波形有一个凹陷，此时效率约79.5%，而采用CJA03N10的情况下，采样电阻上的波形凹陷几乎没有，效率约83%。这个电流凹陷是怎么产生的？难道是芯片不足以驱动这个NCEP0112AS这款MOS吗？
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Mr李
LV.2
4
2020-09-11 15:46
@Mr李
在采用NCEP0112AS的情况下，采样电阻上的波形有一个凹陷，此时效率约79.5%，而采用CJA03N10的情况下，采样电阻上的波形凹陷几乎没有，效率约83%。这个电流凹陷是怎么产生的？难道是芯片不足以驱动这个NCEP0112AS这款MOS吗？
电源输入18V，输出12V/0.7A，蓝色为源漏极波形，黄色为采样电阻波形。
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hereliu
LV.8
5
2020-09-13 20:43
@Mr李
电源输入18V，输出12V/0.7A，蓝色为源漏极波形，黄色为采样电阻波形。[图片]
看mosfet的驱动波形，看是不是米勒效应太大？
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Mr李
LV.2
6
2020-09-14 09:18
@hereliu
看mosfet的驱动波形，看是不是米勒效应太大？

应该是MOS没有完全关断造成的：

Qgs太大，释放太慢了。

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谢厚林
7
2020-09-14 14:53
@Mr李
应该是MOS没有完全关断造成的：[图片]Qgs太大，释放太慢了。
看看驱动能力？
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Mr李
LV.2
8
2020-09-14 19:13
@谢厚林
看看驱动能力？

这是官方的驱动参数：

感觉就是驱动不足，最近又申请了一款低Qg的MOS，等到了再比较一下。

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谢开源
LV.5
9
2020-09-17 09:04
@Mr李
这是官方的驱动参数：[图片]感觉就是驱动不足，最近又申请了一款低Qg的MOS，等到了再比较一下。
如果驱动充放速度不一样的话，试试改大放电电阻，让放电速度小点
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