原理图如图所示。输入23.6V,输出36V,负载66W左右。R8003为0Ω
实际测量波形过程中，发现铁硅铝磁环电感和一体成型封装电感的Isens波形有较大差异
此图Ton 时间 斜率Ipeak=32.4mv/20mΩ=1.62A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.28us/1.62A=18.6uH。实际电桥测得电感量200Khz 0.25V条件下为47uH
此图Ton 时间 斜率Ipeak=40mv/20mΩ=2A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.37us/2A=16uH。(22-16)/22=27%倒也说得过去
此图Ton 时间 斜率Ipeak=61mv/20mΩ=3A L=V*Ton/Ip=23.6V*1.37us/3A=10.7uH。
不知为何按照实际测得的波形Vton=LI反推电感值，铁硅铝绕线电感感量与实际相差50%以上，一体成形封装电感基本吻合，这个原因是为什么，求各位指教
