在做一款反激电源的设计，输入24V，输出23V/1.4A。开关芯片选用LT1738IG(开关信号斜率可调的芯片)。设计原理图和关键部位参数如下所
示：
图1 大体外围电路
基于LT1738的反激设计，可以隔离或者非隔离，目前调试的非隔离电路。
图2 反激部分详细器件和参数
反激设计各器件参数如图所示。
关于变压器，EFD25磁芯，电感因数1800nH/N*N，面积58平方毫米，饱和磁感应强度3600，为了占空比不大于0.5，变压器主副边匝数比设计为5.5:8，主边电感13.2uH，开气隙0.16mm。选用0.32mm的线，多种绕线方法，包括三明治法（3主：3副：3主：3副），主副边并绕根数一致，4-6均有尝试（下述现象不变）。
现有如下疑惑和问题，特来请教各位大佬：
1） 满载工作以后（供电24V/1.85A），磁芯和铜线温升30℃以上，40分钟左右达到热平衡，此时温升35，会伴随出现自激，供电电流下降到 1A，输出电压降低（波形未饱和），实测，漆包线温升高于磁芯上侧3度左右，高于磁芯下测5度左右（测试全程磁芯上下两侧温差2度左右）。求问，导线发热的原因？（如何改善），磁芯发热原因。磁芯上下侧温升差异是否合理，
2） 先根据占空比确定变比，然后试出匝数比，调整气隙试出最佳气隙间距，此时电路效率78%左右。该设计效率是否合适，还有没有提升空间。
3） 关于纹波，目前能达到150mV，（小于1%），反激上限能到多少。
图三 如上两幅图 MOS管漏极波形
图4 以上两张是整流管阳极波形
