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INN3268C设计的30W的充电器输出电源

        InnoSwitch3-CP集成了尺寸较小的750V PowiGaN晶体管，在无需散热片的情况下能够提供27 W至55 W的输出功率。PowiGaN技术的晶体管效率高 ，在任何输入电压和负载条件下效率均可高达94％，其极高的可靠性能够保证电源在市电电压不稳的地区使用时耐受输入浪涌和电压浮动的冲击。    

        电源为一款采用INN3268C的低压输入反激式转换器设计。关键的设计目标是高功率密度、高效率、低空载功耗和最佳的热性能，用作USB墙壁插座充电器的输出电源，有可选5.1V/6A或9.2V/3.3A或15.3V/2A可选择，输出的平均效率要超过90％。为了提高效率，还必须选择具有较低传导损耗的有源器件。在InnoSwitch3-CP系列控制器中，INN3268C可提供最低的RDS（on）。对于次级整流器（SR），选择MOSFET而不是肖特基二极管。

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尘埃中的一粒沙
LV.5
2
2020-07-13 12:35
芯片的同步整流技术集成，电源的效率设计的比较高，恒流恒压输出。
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大海的儿子
LV.10
3
2020-07-13 20:21
InnoSwitch3-CP可以实现正负3%的输出稳压精度。电压正负3%的精度很高了。
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trllgh
LV.9
4
2020-07-13 20:22
对于变压器设计，最好将反射电压（VOR）保持在较低水平，以降低次级侧的RMS电流。
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xxbw6868
LV.9
5
2020-07-13 20:28
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，主要是损耗更小了。
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spowergg
LV.9
6
2020-07-13 20:29
@xxbw6868
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，主要是损耗更小了。
功耗跟开关频率也有关系，开关频率操作的最佳点（考虑效率和小形状因数）在70kHz至80kHz的范围内。
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dbg_ux
LV.9
7
2020-07-13 20:33
@trllgh
对于变压器设计，最好将反射电压（VOR）保持在较低水平，以降低次级侧的RMS电流。
较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。
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kckcll
LV.9
8
2020-07-13 20:34
@大海的儿子
InnoSwitch3-CP可以实现正负3%的输出稳压精度。电压正负3%的精度很高了。
一般快充方案只能达到5%的稳压精度，初级侧反馈方案达到3%的精度尤其困难。
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lx25hb
LV.8
9
2020-07-13 20:39
@spowergg
功耗跟开关频率也有关系，开关频率操作的最佳点（考虑效率和小形状因数）在70kHz至80kHz的范围内。
在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。
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cb_mmb
LV.8
10
2020-07-13 20:40
@trllgh
对于变压器设计，最好将反射电压（VOR）保持在较低水平，以降低次级侧的RMS电流。
除了VOR考虑之外，降低变压器的漏感也很重要，漏感跟变压器的工艺有很大的关系。
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lx25hb
LV.8
11
2020-07-14 20:16
@xxbw6868
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，主要是损耗更小了。
在封闭式适配器不需散热片就可实现高达100W输出功率，大大减小产品的体积。
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cb_mmb
LV.8
12
2020-07-14 20:21
@dbg_ux
较低的VOR还意味着初级侧MOSFET上的漏极到源极电压较低，可以有效降低开关损耗。
因为存储在漏电感中的能量会在钳位电路上消耗，从而导致效率降低。
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dbg_ux
LV.9
13
2020-07-14 20:26
@cb_mmb
因为存储在漏电感中的能量会在钳位电路上消耗，从而导致效率降低。
在该设计中，降低漏感可以显著提高效率，夹层绕组用于将漏电感降低到小于5μH
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kckcll
LV.9
14
2020-07-14 20:31
@xxbw6868
基于PowiGaN的IC在整个负载范围内的效率高达95％，主要是损耗更小了。
和硅器件相比，PowiGaN产品可设计出体积更小，重量更轻，效率更高的充电器
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大海的儿子
LV.10
15
2020-07-14 20:35
@lx25hb
在空载条件下，辅助偏置电压的选择范围为8V至10V，这有助于改善无负载消耗以及轻负载效率。
通过变压器设计以及选择合适的有源器件和偏置电压来优化效率。
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k6666
LV.9
16
2020-07-27 12:42
@kckcll
一般快充方案只能达到5%的稳压精度，初级侧反馈方案达到3%的精度尤其困难。
电压稳定输出，保证终端产品安全可靠。
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k6666
LV.9
17
2020-07-27 12:43
@cb_mmb
因为存储在漏电感中的能量会在钳位电路上消耗，从而导致效率降低。
钳位电路的吸收，有效保护芯片正常工作。
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亲爱的郭郭
LV.9
18
2020-08-25 21:21
@尘埃中的一粒沙
芯片的同步整流技术集成，电源的效率设计的比较高，恒流恒压输出。
比较早期的的TOPSwitch先进，也是一款集成同步整流式开关电源芯片。
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米修儿
LV.4
19
2021-10-26 13:46

高效率低功耗，空载功耗小于75mW,电路设计元件数少，成本较低，电路设计隔离输出，具有输出过压保护等多种功能

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米修儿
LV.4
20
2021-10-26 13:47

芯片内部集成了高压MOSFET、反激式控制器、次级检测及同步整流驱动器，芯片架构极具革新性，采用FluxLink技术反馈，适合于小体积的电源

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不可说
LV.5
21
2021-10-29 22:21

氮化镓是很好的管子，就是太贵了，当前各个手机厂商都在宣传自己的手机充电器用的就是氮化镓啊，一个充电头能卖好上百块钱

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spowergg
LV.9
22
2021-11-03 17:39
@k6666
钳位电路的吸收，有效保护芯片正常工作。

电容电阻都需要选择合适，如电压峰值比较大，那么电容的电压应力大。

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ehi763
LV.6
23
2021-11-03 17:47
@spowergg
电容电阻都需要选择合适，如电压峰值比较大，那么电容的电压应力大。

在满足箱位电路功能的作用情况下，可进行电容值的增大电容，从而可以降低电压电压峰值

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xxbw6868
LV.9
24
2021-11-03 17:53
@spowergg
电容电阻都需要选择合适，如电压峰值比较大，那么电容的电压应力大。

需要调节箝位电路的电阻值，使得幵关管导通时，电容上电压降为接近变压器副边反射电压

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大海的儿子
LV.10
25
2021-11-03 17:58
@spowergg
电容电阻都需要选择合适，如电压峰值比较大，那么电容的电压应力大。

电容值过大时，电容两端电压上升缓慢，变压器原边的能量不能快速传递到变压器副边。

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trllgh
LV.9
26
2021-11-03 18:01
@大海的儿子
电容值过大时，电容两端电压上升缓慢，变压器原边的能量不能快速传递到变压器副边。

电容值过小，电容上电压很快会降到变压器副边反射电压，在开关管导通之前，箱位电路电阻将成为反激开关电源的死负载，降低电源的效率。

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dbg_ux
LV.9
27
2021-11-03 18:08
@xxbw6868
需要调节箝位电路的电阻值，使得幵关管导通时，电容上电压降为接近变压器副边反射电压

RCD钳位电路当中，选择合适的电阻电容对于能量吸收以及输出效率和芯片发热起着关键的作用。

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tabing_dt
LV.10
28
2021-11-03 18:15
@dbg_ux
RCD钳位电路当中，选择合适的电阻电容对于能量吸收以及输出效率和芯片发热起着关键的作用。

有些开关电源是不需要RCD等其他吸收电路的，具体要看电路，比如电源的功率小就不需要。

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小燕纸
LV.4
29
2021-11-26 10:08

这个电源在任何输入电压和负载条件下效率均可高达94％

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快乐的小天使
LV.7
30
2021-12-20 12:48

次级整流器（SR），选择MOSFET而不是肖特基二极管

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xxbw6868
LV.9
31
2022-02-10 21:57
@快乐的小天使
次级整流器（SR），选择MOSFET而不是肖特基二极管

通常肖特基二极管作为次级整流管，压降0.4V，同步整流就是用MOS管来代替二极管，从而提高效率。

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